三星电子株式会社李商勳获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011586628.6，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体装置是由李商勳设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上，栅极结构包括交替地堆叠的绝缘层和栅电极；沟道结构，延伸穿过栅极结构；以及源极导电图案，位于基底与栅极结构之间。源极导电图案包括下源极导电图案和位于下源极导电图案上的上源极导电图案。沟道结构包括延伸穿过源极导电图案的绝缘图案、数据存储图案以及位于绝缘图案与数据存储图案之间的沟道图案。在半导体装置的剖视图中，沟道图案的下表面位于比上源极导电图案的上表面的水平高但比栅电极中的最下栅电极的下表面的水平低的水平处，并且基底提供基准参考水平。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 栅极结构，位于基底上，栅极结构包括交替地堆叠的绝缘层和栅电极； 沟道结构，延伸穿过栅极结构；以及源极导电图案，位于基底与栅极结构之间，其中，源极导电图案包括下源极导电图案和位于下源极导电图案上的上源极导电图案，其中，沟道结构包括：绝缘图案，延伸穿过源极导电图案；数据存储图案；以及沟道图案，位于绝缘图案与数据存储图案之间，并且其中，在半导体装置的剖视图中，沟道图案的下表面位于比上源极导电图案的上表面的水平高但比栅电极中的最下栅电极的下表面的水平低的水平处，并且基底提供基准参考水平。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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