致瞻科技(上海)有限公司朱楠获国家专利权
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龙图腾网获悉致瞻科技(上海)有限公司申请的专利一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114551391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210051718.8,技术领域涉及:H10W70/40;该发明授权一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构是由朱楠;邓永辉;史经奎;梅营;徐贺设计研发完成,并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构在说明书摘要公布了:本发明提供了一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构,包括集成在引线框架上且结构相同的第一功率半导体模块、第二功率半导体模块,两者均包括滤波吸收芯片、功率半导体芯片。功率半导体芯片设置在引线框架上绝缘基板的第一导体层上,功率半导体芯片的一端经键合线与滤波吸收芯片的第一电极电连接,滤波吸收芯片的第二电极接地或与功率半导体芯片的另一端电连接。通过将滤波吸收芯片与功率半导体芯片集成在引线框架上,能够使得滤波吸收芯片靠近功率半导体芯片,能够滤除和或吸收开关工作时功率半导体芯片造成的共模干扰,也可以减小功率半导体模块的体积,提高系统的功率密度。
本发明授权一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构在权利要求书中公布了:1.一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构,其特征在于:包括集成在引线框架上且结构相同的第一功率半导体模块、第二功率半导体模块,所述第一功率半导体模块和所述第二功率半导体模块均包括滤波吸收芯片、功率半导体芯片; 所述引线框架上设有绝缘基板,所述功率半导体芯片设置在所述绝缘基板的第一导体层上,所述功率半导体芯片的一端经键合线与所述滤波吸收芯片的第一电极电连接,所述滤波吸收芯片的第二电极接地或与所述功率半导体芯片的另一端电连接,所述滤波吸收芯片用于在所述功率半导体芯片开关工作时滤除和或吸收所述功率半导体芯片造成的共模干扰; 所述滤波吸收芯片为高频吸收芯片,所述高频吸收芯片包括集成并串联在一起的吸收电容和阻尼电阻,且所述吸收电容与所述功率半导体芯片的第一电极电连接,所述阻尼电阻与所述功率半导体芯片的第二电极电连接。
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