台湾积体电路制造股份有限公司邱德馨获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210060103.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由邱德馨;彭士玮;赖韦安;曾健庭设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括：穿过半导体衬底的第一表面对区域进行掺杂；在半导体衬底内形成多个掺杂结构，其中，多个掺杂结构中的每一个都沿着垂直方向延伸并且与掺杂区域接触；在第一表面之上形成多个晶体管，其中，晶体管中的每一个包括一个或多个源极漏极结构，该一个或多个源极漏极结构通过掺杂结构中的相应一个电耦合到掺杂区域；在第一表面之上形成多个互连结构，其中，互连结构中的每一个电耦合到晶体管中的至少一个；以及基于通过半导体衬底的第二表面检测在掺杂区域上存在的信号，测试互连结构和晶体管之间的电连接，第二表面与第一表面相反。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 穿过半导体衬底的第一表面对区域进行掺杂以在所述半导体衬底的厚度内形成掩埋掺杂层，其中，所述掩埋掺杂层处于距离所述半导体衬底的第一表面的非零深度处并且平行于所述半导体衬底的第一表面延伸； 在所述半导体衬底内形成多个掺杂结构，其中，所述多个掺杂结构中的每一个都沿着垂直方向延伸并且与所述掩埋掺杂层接触； 在所述第一表面之上形成多个晶体管，其中，所述晶体管中的每一个包括一个或多个源极漏极结构，该一个或多个源极漏极结构通过所述掺杂结构中的相应一个电耦合到所述掩埋掺杂层； 在所述第一表面之上形成多个互连结构，其中，所述互连结构中的每一个电耦合到所述晶体管中的至少一个；以及基于通过所述半导体衬底的第二表面检测在所述掩埋掺杂层上存在的信号，测试所述互连结构和所述晶体管之间的电连接，所述第二表面与所述第一表面相反。
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