艾普凌科有限公司坂口薰获国家专利权
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龙图腾网获悉艾普凌科有限公司申请的专利过电流保护电路和负载驱动装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114637365B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111515477.X,技术领域涉及:G05F1/573;该发明授权过电流保护电路和负载驱动装置是由坂口薰设计研发完成,并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本过电流保护电路和负载驱动装置在说明书摘要公布了:提供过电流保护电路和负载驱动装置,即使在输出端子对地短路时,也能将过电流的检测精度维持得较高。一种过电流保护电路100,其限制在输出晶体管11中流过的输出电流IOUT,具有:感测晶体管13,其中流过与输出电流IOUT成比例的感测电流Is1;感测电阻14,其中流过感测电流Is1;电流限制电路30,其检测在感测电阻14中产生的感测电压VS并控制输出晶体管11的栅极电压VG;及电流校正电路40,其根据输出晶体管11的漏极电压与感测晶体管14的漏极电压的差电压ΔV,使要与感测电流Is1相加的校正感测电流Is2在感测电阻14中流过。
本发明授权过电流保护电路和负载驱动装置在权利要求书中公布了:1.一种过电流保护电路,其对在输出晶体管中流过的输出电流进行限制,其特征在于,该过电流保护电路具有: 感测晶体管,在该感测晶体管中流过与所述输出电流成比例的感测电流; 感测电阻,在该感测电阻中流过所述感测电流; 电流限制电路,其检测在所述感测电阻中产生的感测电压,对所述输出晶体管的栅极电压进行控制;以及电流校正电路,其根据所述输出晶体管的漏极电压与所述感测晶体管的漏极电压的差电压,使要与所述感测电流相加的校正感测电流在所述感测电阻中流过,所述电流校正电路具有: 第1输入端子,其与所述感测晶体管的漏极连接; 第2输入端子,其与所述输出晶体管的漏极连接;以及输出端子,其与所述感测电阻连接,从所述输出端子流出所述校正感测电流,所述电流校正电路具有: 控制端子,其与所述感测晶体管的栅极连接; 第1晶体管及第2晶体管,该第1晶体管及第2晶体管各自的栅极与所述控制端子连接; 第3晶体管,该第3晶体管的源极与所述第1晶体管的漏极连接;以及第4晶体管,该第4晶体管的源极与所述第2晶体管的漏极连接,所述第3晶体管与所述第4晶体管的栅极电压差对应于所述感测晶体管与所述输出晶体管的漏极电压差,使流过所述第1晶体管的电流与流过所述第2晶体管的电流的差电流作为所述校正感测电流流出。
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