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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种毫米波注入锁定三倍频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114710119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210409375.8，技术领域涉及：H03B19/14；该发明授权一种毫米波注入锁定三倍频器是由唐路;陈义;唐旭升;张有明;余旭涛;王开设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种毫米波注入锁定三倍频器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种毫米波注入锁定三倍频器，包括谐波发生器和注入锁定振荡器两个部分。谐波发生器用于产生谐波信号，注入锁定振荡器用于锁定谐波发生器产生的谐波，谐波发生器与注入锁定振荡器通过变压器耦合相连；输入的基波信号通过谐波发生器产生谐波分量，然后通过变压器耦合到注入锁定振荡器，实现倍频。相比于传统倍频器结构，本发明在输入功率较小时仍具有较宽的锁定范围，并具备超宽带宽、低输入灵敏度、低功耗、高集成度等优点。

本发明授权一种毫米波注入锁定三倍频器在权利要求书中公布了：1.一种毫米波注入锁定三倍频器，其特征在于，包括谐波发生器1和注入锁定振荡器2两个部分，谐波发生器1与注入锁定振荡器2通过变压器耦合相连；注入基波信号通过谐波发生器1和注入锁定振荡器2的正极输入端INP和负极输入端INN注入，注入基波信号通过谐波发生器1产生谐波分量，然后通过变压器耦合到注入锁定振荡器2，注入锁定振荡器2锁定谐波发生器产生的谐波信号，产生倍频输出信号；所述变压器由谐波发生器1包含的第一耦合电感L1与注入锁定振荡器2包含的第二耦合电感L2构成，通过调整第一耦合电感L1和第二耦合电感L2之间的耦合系数来拓宽倍频器带宽； 所述谐波发生器1包括第一MOS管M1和第二MOS管M2、第一耦合电感L1以及第一电容C1；具体连接结构为：第一MOS管M1的栅极接正极输入端INP，第二MOS管M2的栅极接负极输入端INN，第一MOS管M1的源极接电源，第二MOS管M2的源极接地，第一MOS管M1的漏极接第一耦合电感L1的一端和第一电容C1的一端，第二MOS管M2的漏极接第一耦合电感L1的另一端和第一电容C1的另一端； 所述注入锁定振荡器2包括第二耦合电感L2、第二电容C2、电流源Ibias、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电容C3、第四电容C4、电压源Vbias；具体连接结构为：第二耦合电感L2的中心抽头接电流源Ibias的一端，电流源Ibias的另一端接电源，第二耦合电感L2的一端接第三MOS管M3的漏极、第四MOS管M4的栅极、第二电容C2的一端和正极输出端OUTP，第二耦合电感L2的另一端接第四MOS管M4的漏极、第三MOS管M3的栅极、第二电容C2的另一端和负极输出端OUTN；第三MOS管M3的源极接第五MOS管M5的漏极，第四MOS管M4的源极接第六MOS管M6的漏极，第五MOS管M5的栅极接第一电阻R1的一端和第三电容C3的一端，第一电阻R1的另一端接电压源Vbias，第三电容C3的另一端接正极输入端INP；第六MOS管M6的栅极接第二电阻R2的一端和第四电容C4的一端，第二电阻R2的另一端接电压源Vbias，第四电容C4的另一端接负极输入端INN，第五MOS管M5的漏极和第六MOS管M6的源极接地； 所述注入锁定振荡器2中第五MOS管M5的栅极与第六MOS管M6的栅极，分别通过第三电容C3和第四电容C4注入基波信号，使得第五MOS管M5与第六MOS管M6提供额外相位补偿，提高所述毫米波注入锁定三倍频器的锁定范围。

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