浙江大学皮孝东获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种多功能的硅基光电神经突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210385701.6，技术领域涉及：H10K30/10；该发明授权一种多功能的硅基光电神经突触器件及其制备方法是由皮孝东;黄世杰;杨德仁设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多功能的硅基光电神经突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多功能的硅基光电神经突触器件，包括氧化物上硅层，所述氧化物上硅层由氧化层和硅衬底组成，其中，氧化层位于硅衬底上；光电响应层，所述光电响应层位于所述氧化层上，所述光电响应层为半导体钙钛矿薄膜；以及顶电极，所述顶电极位于光电响应层上，所述顶电极为惰性金属材料。该硅基光电神经突触器件该器件能够在较低能耗和低串扰下进行电信号写入，已完成多个光调控功能。本发明还提供了多功能的硅基光电神经突触器件的制备方法。该制备方法成本低，容错高，操作简便等优点。
本发明授权一种多功能的硅基光电神经突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多功能的硅基光电神经突触器件，其特征在于，包括： 底电极层，所述底电极层为氧化物上硅； 光电响应层，所述光电响应层位于所述底电极层上，所述光电响应层为半导体钙钛矿薄膜； 以及顶电极，所述顶电极位于所述光电响应层上，所述顶电极为惰性金属材料； 所述惰性金属材料为金、铂或钯。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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