洛克利光子有限公司C·S·蔡获国家专利权
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龙图腾网获悉洛克利光子有限公司申请的专利光栅过渡时的生长缺陷减少获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080096042.3，技术领域涉及：H01S3/063；该发明授权光栅过渡时的生长缺陷减少是由C·S·蔡设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本光栅过渡时的生长缺陷减少在说明书摘要公布了：一种半导体装置。在一些实施方案中，半导体装置包括：具有第一区域和第二区域的第一层，所述第一区域为波纹状并具有多个波纹，所述第二区域无波纹。波纹的第一循环可以具有第一占空比，并且波纹的第二循环可以具有第二占空比，所述第二循环在第一循环与第二区域之间，并且第二占空比在第一占空比与第二区域的占空比之间。
本发明授权光栅过渡时的生长缺陷减少在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 第一层，所述第一层具有第一区域和第二区域，所述第一区域为波纹状光栅并具有多个波纹，所述第二区域无波纹，所述波纹的第一循环具有第一占空比，所述波纹的第二循环具有第二占空比，所述第二循环在所述第一循环与所述第二区域之间，并且所述第二占空比在所述第一占空比与所述第二区域的所述占空比之间，其中所述第一区域具有稳态区域，其中光栅具有基本恒定的占空比，以及在所述稳态区域与所述第二区域之间的过渡区域，其中所述波纹的所述占空比从所述稳态区域到所述第二区域逐渐增加，其中所述第一层在所述第二区域中被完全去除，以及其中所述波纹的沟槽深度在所述过渡区域中变化，并且其中所述波纹的所述循环的所述占空比和对应部分蚀刻深度的乘积在0.2内遵循沿着所述装置的长度的距离的分段线性函数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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