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龙图腾网获悉深圳市质能达微电子科技有限公司申请的专利一种高精度BMS模拟前端电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115144752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210714941.6，技术领域涉及：G01R31/36；该发明授权一种高精度BMS模拟前端电路是由林浩;林丰成;邓小群;唐会杰;黄嘉鑫;何金泉;杨鑫源;冉成新;王志红;陈文新;张廉;许丹;苏明;黄峰设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度BMS模拟前端电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高精度BMS模拟前端电路，包括电池组、模拟前端信号处理器和模拟前端信号通讯模块；单体电池连接有前端电压采集电路，前端电压采集电路与模拟前端信号处理器连接，前端电压采集电路连接有信号保持电路，信号保持电路与模拟前端信号处理器连接，模拟前端信号通讯模块与模拟前端信号处理器连接；本发明通过为每个前端电压采集电路分别设置信号保持电路，利用信号保持电路对采样电压信号进行保持稳压处理，从而确保采样得到的采样电压信号可靠输入至模拟前端信号处理器上，有效避免得到的采样电压信号受到外界干扰而导致采样电压信号失真，提高采样电压信号在输送过程中的抗干扰性，利于提供BMS电池管理系统的管理精度。

本发明授权一种高精度BMS模拟前端电路在权利要求书中公布了：1.一种高精度BMS 模拟前端电路，其特征在于，包括电池组1、模拟前端信号处理器2和模拟前端信号通讯模块3； 所述电池组1包括多个依次连接的单体电池，每个所述单体电池均连接有前端电压采集电路4，每个所述前端电压采集电路4分别与模拟前端信号处理器2连接，每个所述前端电压采集电路4还分别连接有信号保持电路5，所述信号保持电路5还与模拟前端信号处理器2连接，所述模拟前端信号通讯模块3与模拟前端信号处理器2连接； 所述前端电压采集电路4包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、采集放大器U1、第三MOS管Q3和第三电阻R3，所述第一MOS管Q1的漏极与单体电池的正极连接，所述第二MOS管Q2的漏极与单体电池的负极连接，所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2的栅极分别接PWM信号，所述第一MOS管Q1与所述第二MOS管Q2交替导通，所述第一电阻R1的一端与第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的源极均连接，所述第二电阻R2的一端与单体电池的正极连接，所述第二电阻R2的另一端与第一电阻R1的另一端并联后与采集放大器U1的同相输入端连接，所述采集放大器U1的反向输入端与单体电池的负极连接，所述采集放大器U1的同相输入端还与信号保持电路5连接，所述第三MOS管Q3的漏极与第一电阻R1的另一端连接，所述第三MOS管Q3的栅极与采集放大器U1的输出端连接，所述第三电阻R3的一端与第三MOS管Q3的源极连接，所述第三电阻R3的另一端接地，所述第三MOS管Q3的源极还与模拟前端信号处理器2连接；所述第一电阻R1与第二电阻R3的阻值相等； 所述信号保持电路5包括第一晶体三极管Q4、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一稳压二极管Z1、第二稳压二极管Z2、第二晶体三极管Q5和第八电阻R8 ，所述第四电阻R4的一端与第一晶体三极管Q4的基极连接，所述第四电阻R4的另一端接地，所述第一晶体三极管Q4的发射极与模拟前端信号处理器2连接，所述第五电阻R5与第一稳压二极管Z1串联后的一端与第一晶体三极管Q4的集电极连接，所述第五电阻R5与第一稳压二极管Z1串联后的另一端与第二晶体三极管Q5的基极连接，所述第六电阻R6和第二稳压二极管Z2并联后的一端连接在第五电阻R5与第一稳压二极管Z1之间，所述第六电阻R6和第二稳压二极管Z2并联后的另一端接地，所述第二晶体三极管Q5的集电极与第一晶体三极管Q4的发射极连接，所述第二晶体三极管Q5的发射极通过第八电阻R8与前端电压采集电路4连接。

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