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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115145058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210916461.8，技术领域涉及：G02F1/025；该发明授权一种基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器是由丁立;詹启鹏;崔乃迪;金里;庞海斌;廖骏能;段宗明;谢伟;章洋设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器在说明书摘要公布了：一种基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器，属于光电调制技术领域，解决如何设计一种调制性能好且占地面积小的弯曲波导光电调制器问题；在直角弯曲硅波导的外直角弯曲处倒直角，长方体二氧化钒的一个侧面与倒直角形成的平面紧密贴合；长方体二氧化钒工作在金属相时，在直角弯曲硅波导的外直角弯曲处倒直角形成的平面上形成一个反射镜的结构，从而增强输入光信号在弯曲处的透过率；长方体二氧化钒为半导体相时，输入光信号在直角弯曲硅波导的外直角处泄露进入长方体二氧化钒，同时由于巨大的弯曲损耗导致输入光信号在直角弯曲硅波导的外直角处的透过率很低；本发明的结构极其简单，易于加工实现，调制层的占地面积能够做到纳米量级。

本发明授权一种基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于相变材料的超紧凑直角弯曲波导调制器，其特征在于，包括：由上到下依次相叠的二氧化硅上包层1、调制层2、二氧化硅埋层3、硅衬底层4；所述的调制层2包括：金属电极21、二氧化硅粘附层22、长方体二氧化钒23、直角弯曲硅波导24； 所述的二氧化硅上包层1上加工有与调制层2相匹配的槽，所述的调制层2的被二氧化硅上包层1包覆在槽内，所述的调制层2的下表面设置在二氧化硅埋层3的上表面，调制层2被夹在二氧化硅上包层1与二氧化硅埋层3之间，所述的二氧化硅埋层3的下表面与硅衬底层4的上表面贴合； 所述的直角弯曲硅波导24的内直角处倒圆角，直角弯曲硅波导24的外直角处45°倒角，所述的长方体二氧化钒23的一个侧面与直角弯曲硅波导24的外直角处45°倒角的平面紧密贴合； 所述的二氧化硅粘附层22粘贴在长方体二氧化钒23的上表面，所述的金属电极21设置在二氧化硅粘附层22的上表面，用于加载矩形脉冲电压信号； 调制器在横电模1550nm波长下工作，所述的矩形脉冲电压信号处于低电平状态时，长方体二氧化钒23为金属相，在直角弯曲硅波导24的外直角弯曲处倒直角形成的平面上形成一个反射镜的结构，从而增强输入光信号在弯曲处的透过率，此时调制器处于“开启”状态；所述的矩形脉冲电压信号处于高电平状态时，长方体二氧化钒23为半导体相，输入光信号在直角弯曲硅波导24的外直角处泄露进入长方体二氧化钒23，同时由于巨大的弯曲损耗导致输入光信号在直角弯曲硅波导24的外直角处的透过率很低，此时调制器处于“关闭”状态。

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