艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司S·斯托尔获国家专利权
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龙图腾网获悉艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请的专利制造光电子器件的方法和光电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115152038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180018181.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权制造光电子器件的方法和光电子器件是由S·斯托尔;M·劳布舍尔设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造光电子器件的方法和光电子器件在说明书摘要公布了：用于制造光电子器件1的方法，具有以下步骤：A提供多个发射辐射的半导体芯片2，所述多个发射辐射的半导体芯片被设置为在运行期间发射第一波长范围的初级辐射，B将被设置用于发射第二波长范围的次级辐射的转换器3施加到所述多个发射辐射的半导体芯片2上，C施加镜层序列4，所述镜层序列4被设置用于反射所述初级辐射并透射所述次级辐射，其中所述镜层序列4布置在所述转换器3的下游，D分离所述多个发射辐射的半导体芯片2以产生光电子器件1。此外说明了一种通过该方法制造的光电子器件1。
本发明授权制造光电子器件的方法和光电子器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造光电子器件1的方法，具有步骤： A提供多个发射辐射的半导体芯片2，所述多个发射辐射的半导体芯片被设置为在运行期间发射第一波长范围的初级辐射，B将被设置用于发射第二波长范围的次级辐射的转换器3施加到所述多个发射辐射的半导体芯片2上，C施加镜层序列4，所述镜层序列4被设置用于反射所述初级辐射并透射所述次级辐射，其中所述镜层序列4布置在所述转换器3的下游，其中所述转换器3在施加所述镜层序列4期间以未固化的方式存在，D在施加所述镜层序列4之后对所述转换器3进行固化，E分离所述多个发射辐射的半导体芯片2以产生光电子器件1，其中所述转换器3借助于喷涂施加到所述多个发射辐射的半导体芯片2上，以及其中所述镜层序列4借助于溅射、原子层沉积和或等离子体增强的化学气相沉积PECVD施加到所述转换器3上，其中所述镜层序列4直接施加到所述转换器3上，而无需在所述转换器3与所述镜层序列4之间布置粘合层。
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