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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于双异质结的CMOS晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172368B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762296.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种基于双异质结的CMOS晶体管及其制备方法是由陈楷;张雅超;马金榜;张进成;马晓华;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双异质结的CMOS晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双异质结的CMOS晶体管，包括自下而上依次设置的衬底、第一AlN层、第二AlN层、GaN缓冲层以及SiN隔离层，其中，SiN隔离层上开设有P‑HEMT有源区凹槽和N‑HEMT有源区凹槽；P‑HEMT有源区凹槽内自下而上依次设置有GaPN背势垒层、第一AlPN势垒层、第一GaPN沟道层和第一GaN帽层；N‑HEMT有源区凹槽内自下而上依次设置有AlPN背势垒层、第二GaPN沟道层、第二AlPN势垒层和第二GaN帽层；第一GaN帽层上表面设置有第一源极、第一漏极和第一栅极；在第二GaN帽层上表面设置有第二源极、第二漏极和第二栅极。本发明的AlPNGaPN异质结可以实现晶格匹配，异质结的面内应力均可得到有效缓解，能够有效提升二维电子气的电学性能。

本发明授权一种基于双异质结的CMOS晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双异质结的CMOS晶体管，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底1、第一AlN层2、第二AlN层3、GaN缓冲层4以及SiN隔离层5，其中，所述SiN隔离层5上开设有P‑HEMT有源区凹槽6和N‑HEMT有源区凹槽10，所述P‑HEMT有源区凹槽6和所述N‑HEMT有源区凹槽10从所述 SiN隔离层5的上表面延伸至GaN缓冲层4的上表面； 所述P‑HEMT有源区凹槽6内自下而上依次设置有GaPN背势垒层7、第一AlPN势垒层8、第一GaPN沟道层9和第一GaN帽层14；所述N‑ HEMT有源区凹槽10内自下而上依次设置有AlPN背势垒层11、第二GaPN沟道层12、第二AlPN势垒层13和第二GaN帽层15； 所述第一GaN帽层14上表面设置有相互间隔的第一源极16、第一漏极17和第一栅极18；在所述第二GaN帽层15上表面设置有相互间隔的第二源极19、第二漏极20和第二栅极21； 所述第一AlN层2是在1050℃‑1150℃的温度条件下反应生成的，所述第二AlN层3是在1150℃‑1250℃的温度条件下反应生成的。

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