卡尔蔡司SMT有限责任公司H.塞茨获国家专利权
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龙图腾网获悉卡尔蔡司SMT有限责任公司申请的专利半导体光刻的掩模的检验装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115308990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210954425.0，技术领域涉及：G03F1/84；该发明授权半导体光刻的掩模的检验装置和方法是由H.塞茨;T.佐伊纳;H.费尔德曼设计研发完成，并于2018-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体光刻的掩模的检验装置和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体光刻的掩模8的检验装置4，其包括成像掩模8的成像装置9和图像记录装置10，其中展示用于成像的照明辐射6的至少一个子范围的色散行为的一个或多个校正主体21、21’、21”布置在掩模8和图像记录装置10之间的光学路径中。本发明还涉及一种在掩模8的检验装置4中考虑纵向色差的方法，该方法包括以下步骤：记录指定数目的具有不同离焦位置F1、F2、F3、F4、F5的图像，并且选择图像的子集且仿真投射曝光设备的纵向色差。
本发明授权半导体光刻的掩模的检验装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种在掩模8的检验装置4中考虑纵向色差的方法，该方法包括以下步骤： ‑记录指定数目的具有不同离焦位置的图像，‑选择图像的子集并且仿真投射曝光设备的纵向色差，其中离焦的步长被分成主要步长和次要步长，以及其中选择的相对于所述掩模的主要步长值为0.3‑2μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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