日照市艾锐光电科技有限公司李洵获国家专利权
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龙图腾网获悉日照市艾锐光电科技有限公司申请的专利一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115473124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211120052.3，技术领域涉及：H01S5/24；该发明授权一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法是由李洵;牛传宁;奚燕萍;李文设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法，属于半导体光放大器领域。本发明采用具有高折射率的条形沟道波导层与有源区平板耦合，条形沟道波导层与有源区之间由低折射率材料的N型隔离层隔开，通过改变N型隔离层的厚度、沟道波导层的材料组分或厚度可以大范围地改变光场限制因子和调节模场光斑大小。通过降低光场限制因子和扩大模场光斑，能够使半导体光放大器的饱和功率得到非常显著的提高。
本发明授权一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种条形沟道平板耦合波导半导体光放大器，其特征在于，所述半导体光放大器由下至上至少包括N侧电极、N型衬底层、波导层、有源区、P型包层、P侧欧姆接触层和P侧电极，所述P型包层、P侧欧姆接触层和P侧电极均为平面结构；所述波导层包括条形沟道波导区域和位于其两侧的注入电子限制区域，所述条形沟道波导区域包括依次层叠的沟道波导层和N型隔离层，所述N型隔离层与条形沟道等宽；所述沟道波导层的折射率大于所述N型衬底层的折射率，所述N型隔离层的折射率低于分别位于其上下两侧的所述有源区和沟道波导层。
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