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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利氮化物发光器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110674980.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权氮化物发光器件制备方法是由伊晓燕;宋武睿;刘志强;梁萌;张逸韵;王军喜;李晋闽设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化物发光器件制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层DBR层；在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaNbuffer层；在所述GaNbuffer层上外延RCLED主体结构，所述RCLED主体结构在所述GaNbuffer层上由下至上依次包括：n‑GaN层、多量子阱发光层及p‑GaN层；在所述顶层DBR层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极；在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。

本发明授权氮化物发光器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物发光器件制备方法，包括： 在衬底上制备底层的底层DBR层； 在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层，所述二维材料薄膜的材料为石墨烯、氮化硼、二硫化钼和二硫化钨的其中一种； 在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaN buffer层； 在所述GaN buffer层上外延RCLED主体结构，所述RCLED主体结构在所述GaN buffer层上由下至上依次包括：n‑GaN层、多量子阱发光层及p‑GaN层； 在所述p‑GaN层进行硼离子注入形成高阻区；并在所述p‑GaN层上蒸镀金属氧化物透明导电层； 在所述金属氧化物透明导电层两侧进行刻蚀至所述n‑GaN层，形成台阶区域； 在所述金属氧化物透明导电层的中间区域上制备顶层的顶层DBR层并光刻定义图形作为出光口； 在所述顶层DBR层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极； 在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。

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