精工爱普生株式会社岛田浩行获国家专利权
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龙图腾网获悉精工爱普生株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210845812.0，技术领域涉及：H10D30/43；该发明授权半导体装置是由岛田浩行设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置，充分降低半导体装置的导通电阻。本发明的半导体装置具备由半导体构成的多个柱状部。所述多个柱状部分别具有源极区域、漏极区域、以及包含形成于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道的沟道形成区域。本发明的半导体装置还具备：栅极电极，其隔着绝缘层设置于所述沟道形成区域的侧壁；以及第一半导体层，其设置于所述漏极区域的侧壁。所述第一半导体层的导电类型与形成所述漏极区域的所述半导体的导电类型不同。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，该半导体装置具备由半导体构成的多个柱状部，所述多个柱状部分别具有： 源极区域； 漏极区域；以及位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道形成区域，所述半导体装置还具备： 栅极电极，其隔着绝缘层设置于所述沟道形成区域的侧壁，对所述源极区域与所述漏极区域之间的电流进行控制；以及设置于所述漏极区域的侧壁的第一半导体层，所述第一半导体层的导电类型与形成所述漏极区域的所述半导体的导电类型不同，在所述多个柱状部各自的所述源极区域连接有第二半导体层，所述源极区域、所述漏极区域以及所述第二半导体层各自的导电类型为n型，所述第一半导体层的导电类型为p型。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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