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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种pSi@CaO复合材料的制备方法及其在锂离子电池负极上的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692644B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211244032.7，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种pSi@CaO复合材料的制备方法及其在锂离子电池负极上的应用是由张五星;郭艺璇;薛丽红设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种pSi@CaO复合材料的制备方法及其在锂离子电池负极上的应用在说明书摘要公布了：本发明属于锂离子电池技术领域，公开了一种pSi@CaO复合材料的制备方法及其在锂离子电池负极上的应用，该复合材料的制备方法包括如下步骤：S1：将SiO粉末进行歧化热处理；S2：将得到的粉末用HF刻蚀，然后分离并干燥，得到pSi；S3：将pSi与CaO混合均匀，进行包覆热处理，即可得到pSi@CaO复合材料。本发明通过对多孔硅的包覆层组成及合成工艺进行改进，先制备多孔硅，然后将硅酸钙通过高温下的反应原位包覆于多孔硅表面，利用CaO与多孔硅复合、形成硅酸钙包覆层，方法便捷，得到的pSi@CaO复合材料能够有效改善多孔硅负极的首次库仑效率、循环性能和倍率性能。

本发明授权一种pSi@CaO复合材料的制备方法及其在锂离子电池负极上的应用在权利要求书中公布了：1.一种pSi@CaO复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将SiO粉末在保护性气氛下进行歧化热处理；其中，所述歧化热处理的反应温度为850‑1000℃； S2：将步骤S1中得到的粉末用HF进行刻蚀以刻蚀粉末中的SiO2、形成多孔结构，反应后将粉末与HF分离并干燥，即可得到多孔硅粉末pSi； S3：将S2中得到的多孔硅粉末与CaO混合均匀，在惰性气氛中进行包覆热处理，即可得到pSi@CaO复合材料；其中，所述热处理对应发生的反应包括：CaO+SiO2=CaSiO3；相较于将S2中得到的多孔硅粉末与MgO混合均匀后再在惰性气氛中进行包覆热处理得到的pSi@MgO复合材料，该pSi@CaO复合材料具有更高的比容量； 其中，步骤S2中的刻蚀具体是将步骤S1中得到的粉末分散在去离子水与无水乙醇的混合溶剂中，并加入HF； 每4.8克步骤S1中得到的粉末，是对应分散在200 mL 去离子水及100 mL 无水乙醇的混合溶剂中，对应加入的HF为质量分数等于40%的HF溶液10‑60 mL。

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