沃孚半导体公司B·努里获国家专利权
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龙图腾网获悉沃孚半导体公司申请的专利具有源极、栅极和/或漏极导电通孔的基于III族氮化物的射频晶体管放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180025995.5，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权具有源极、栅极和/或漏极导电通孔的基于III族氮化物的射频晶体管放大器是由B·努里;M·玛贝尔;母千里;林广模;M·E·沃兹;M·博卡蒂斯;J·金设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有源极、栅极和/或漏极导电通孔的基于III族氮化物的射频晶体管放大器在说明书摘要公布了：RF晶体管放大器包括基于III族氮化物的RF晶体管放大器管芯，该管芯包括半导体层结构、连接到基于III族氮化物的RF晶体管放大器管芯的源极区域的导电源极通孔以及延伸穿过半导体层结构的附加导电通孔，该导电源极通孔延伸穿过半导体层结构。附加导电通孔的第一端连接到第一外部电路并且附加导电通孔的与第一端相反的第二端连接到第一匹配电路。
本发明授权具有源极、栅极和/或漏极导电通孔的基于III族氮化物的射频晶体管放大器在权利要求书中公布了：1.一种射频RF晶体管放大器，包括： 互连结构，在所述互连结构的上表面上具有至少第一导电结构和第二导电结构；以及安装在所述互连结构的上表面上的基于III族氮化物的RF晶体管放大器管芯，所述基于III族氮化物的RF晶体管放大器管芯包括半导体层结构、连接到所述基于III族氮化物的RF晶体管放大器管芯的源极区域的至少一个导电源极通孔以及延伸穿过所述半导体层结构的附加导电通孔，所述至少一个导电源极通孔延伸穿过所述半导体层结构，其中，所述附加导电通孔的第一端通过插入在所述互连结构与所述基于III族氮化物的RF晶体管放大器管芯之间的接触件连接到所述第一导电结构，并且所述附加导电通孔的与所述第一端相反的第二端通过第一匹配电路连接到接地连接件，其中，所述附加导电通孔是导电栅极通孔和导电漏极通孔中的至少一个。
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