买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉SOITEC公司申请的专利与非常高的温度兼容的可分离临时衬底以及从所述衬底转移工作层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115715425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180041093.0，技术领域涉及：H10P72/70；该发明授权与非常高的温度兼容的可分离临时衬底以及从所述衬底转移工作层的方法是由H·布莱德;G·高登;S·鲁什尔;D·兰度设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本与非常高的温度兼容的可分离临时衬底以及从所述衬底转移工作层的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种临时衬底，其在高于1000℃的分离温度下可分离，并包括：‑沿主平面延伸的半导体工作层，‑载体衬底，‑布置在工作层和载体衬底之间的中间层，其沿与主平面垂直的轴的厚度小于20nm，‑位于中间层内或与中间层相邻的结合界面，‑至少一种气体物质的原子，这些原子根据沿与主平面垂直的轴的浓度分布曲线进行分布并具有高于102121cm33的最大浓度，当临时衬底经受低于分离温度的温度时，所述原子保持俘获在中间层和或载体衬底的厚度小于或等于10nm的相邻层和或工作层的厚度小于或等于10nm的相邻子层中，并且当临时衬底经受高于或等于分离温度的温度时，所述原子旨在扩散至分离界面。本发明还涉及一种用于制造所述临时衬底的方法。最后，本发明涉及一种用于将工作层从可分离临时衬底转移至接收衬底以形成复合结构的方法。

本发明授权与非常高的温度兼容的可分离临时衬底以及从所述衬底转移工作层的方法在权利要求书中公布了：1.临时衬底10，其在高于1000℃的分离温度下能够分离，并包括： ‑沿主平面x、y延伸的半导体工作层1，其包含碳化硅或者包含一种或多种选自金刚石、氮化镓、氮化铝和需要高于1000℃的高处理温度或制造温度的II‑VI化合物的材料，‑载体衬底3，其包括热膨胀系数等于或接近于工作层1的热膨胀系数的材料，‑布置在工作层1和载体衬底3之间的中间层2，其沿与主平面x、y垂直的轴z的厚度小于10nm，并且其由至少一种选自钨、镍、钛、铝、钼、钽、氮化钛、氮化钽、非晶硅中的材料形成，‑位于中间层2内或与中间层2相邻的结合界面4，‑至少一种气体物质的原子2a，这些原子2a根据沿与主平面x、y垂直的轴z的浓度分布曲线2b进行分布并且具有高于1021cm3的最大浓度，当临时衬底10经受低于分离温度的温度时，所述原子2a保持俘获在中间层2和或载体衬底3的厚度小于或等于10nm的相邻层和或工作层1的厚度小于或等于10nm的相邻子层中，并且当临时衬底10经受高于或等于分离温度的温度时，所述原子2a旨在扩散至分离界面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人SOITEC公司，其通讯地址为：法国贝尔尼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。