合肥御微半导体技术有限公司朱锋获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥御微半导体技术有限公司申请的专利一种三维套刻标记和套刻误差测量设备测校方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115729056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211500157.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种三维套刻标记和套刻误差测量设备测校方法是由朱锋;杨朝兴;齐景超设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维套刻标记和套刻误差测量设备测校方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种三维套刻标记和套刻误差测量设备测校方法。三维套刻标记包括基板以及位于基板上的多个套刻标记；多个套刻标记中，任意两个套刻标记在第一平面上的垂直投影的高度不同；第一平面垂直于基板所在平面。由于套刻标记在第一平面延伸方向的高度不同，不同高度的套刻标记与拍摄点的距离不同，即不同高度的套刻标记形成的图像可表示的离焦程度不同。由此，完成一次图像拍摄即可获得不同离焦范围下套刻标记的图像，无需移动套刻标记的位置进行反复遍历测量，极大程度提升了套刻误差测量设备的测校效率，避免长时间测校过程中环境因素对测校造成干扰；同时也能避免套刻标记在水平向上位置发生偏移，影响测校精度。
本发明授权一种三维套刻标记和套刻误差测量设备测校方法在权利要求书中公布了：1.一种三维套刻标记，其特征在于，用于对套刻误差测量设备进行测校，所述三维套刻标记包括： 基板； 位于基板上的多个套刻标记，所述多个套刻标记中，任意两个所述套刻标记在第一平面上的垂直投影的高度不同；所述第一平面垂直于所述基板所在平面；对所述三维套刻标记完成一次图像拍摄获得不同离焦范围下套刻标记的图像； 所述多个套刻标记包括：沿第一轴排列的多个第一套刻标记和沿第二轴排列的多个第二套刻标记； 沿所述第一轴排列的所述第一套刻标记中，任意两个所述第一套刻标记在所述第一平面的垂直投影高度不同，沿所述第二轴排列的所述第二套刻标记中，任意两个所述第二套刻标记在所述第一平面的垂直投影高度不同；和或，任意一个所述第一套刻标记与任意一个所述第二套刻标记在所述第一平面的垂直投影高度不同；其中，所述第一轴的延伸方向和所述第二轴的延伸方向相交。
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