意法半导体股份有限公司P·菲拉里获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于制造电容式压力传感器的方法和电容式压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115752814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211041314.7，技术领域涉及：G01L1/14；该发明授权用于制造电容式压力传感器的方法和电容式压力传感器是由P·菲拉里;F·F·维拉;R·卡姆佩德利;L·拉玛格纳;E·杜奇;M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚;S·尼科利;M·C·图里设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造电容式压力传感器的方法和电容式压力传感器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种用于制造微机电器件的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成不渗透HF的结晶氧化铝的第一保护层；在第一保护层上形成通过HF可去除的氧化硅的牺牲层；在牺牲层上形成结晶氧化铝的第二保护层；暴露牺牲层的牺牲部分；在牺牲部分上形成可渗透HF的多孔材料的第一膜层；通过第一膜层去除牺牲部分来形成腔体；以及通过在第一膜层上形成第二膜层来密封第一膜层的孔隙。
本发明授权用于制造电容式压力传感器的方法和电容式压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种用于制造微机电器件的方法，所述方法包括： 在基板上形成不渗透蚀刻化学溶液的第一保护层； 在所述第一保护层上形成被配置为通过所述蚀刻化学溶液被去除的材料的牺牲层； 在所述牺牲层上形成不渗透所述蚀刻化学溶液的第二保护层； 通过选择性地去除所述第二保护层的一部分来暴露所述牺牲层的牺牲部分； 在所述牺牲部分上形成多孔材料的第一膜层，所述第一膜层可渗透所述蚀刻化学溶液； 使用所述蚀刻化学溶液通过所述第一膜层去除所述牺牲部分来形成腔体；以及通过在所述第一膜层上形成第二膜层来密封所述第一膜层的孔隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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