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龙图腾网获悉无锡中微晶园电子有限公司申请的专利一种新型MEMS多维气体传感器芯片及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115931982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310030595.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种新型MEMS多维气体传感器芯片及其制备工艺是由马博;朱赛宁;彭时秋;王涛;吴建伟;张世权;陈培仓设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型MEMS多维气体传感器芯片及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及传感电路技术领域，特别涉及一种新型MEMS多维气体传感器芯片及其制备工艺，包括加热单元、光激发单元和气敏单元；加热单元包括衬底层、钝化介质层一、多晶硅淀积层、发热电阻、隔离沟道和钝化介质层二；衬底层的顶部由下至上依次铺设有钝化介质层一和多晶硅淀积层，在多晶硅淀积层上离子注入有发热电阻，同时在多晶硅淀积层上刻蚀有隔离沟道，多晶硅淀积层的顶部铺设有钝化介质层二，并且将隔离沟道进行填充和对发热电阻进行覆盖。基于气敏材料对不同浓度、不同成分的气体在不同的温度和光照条件组合下产生成不同感应电信号的原理，对复杂气体环境实现多维度气体传感数据的采集功能。

本发明授权一种新型MEMS多维气体传感器芯片及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种新型MEMS多维气体传感器芯片，其特征在于，包括加热单元、光激发单元和气敏单元；所述加热单元包括衬底层、钝化介质层一、多晶硅淀积层、发热电阻、隔离沟道和钝化介质层二；所述衬底层的顶部由下至上依次铺设有所述钝化介质层一和所述多晶硅淀积层，在所述多晶硅淀积层上离子注入有所述发热电阻，同时在所述多晶硅淀积层上刻蚀有隔离沟道，所述多晶硅淀积层的顶部铺设有所述钝化介质层二，并且将所述隔离沟道进行填充和对所述发热电阻进行覆盖，所述钝化介质层二的顶部中部铺设有所述气敏单元，所述气敏单元的两侧铺设有所述光激发单元； 所述光激发单元包括激光发射二极管、光波导和光反射层；所述激光发射二极管包括n型GaN层、InGaNGaN量子阱层、p型GaN层、ITO层和金属电极二；靠近所述气敏单元一侧的所述n型GaN层的顶部由下至上依次铺设有所述InGaNGaN量子阱层、所述p型GaN层和所述ITO层，远离所述气敏单元一侧的所述n型GaN层的顶部、所述ITO层的顶部均由下至上依次铺设有所述光波导和光反射层，且在每侧所述光波导内布设有两个所述金属电极二，其中一个所述金属电极二位于所述n型GaN层的顶部，另外一个所述金属电极二位于所述ITO层的顶部； 所述光波导采用二氧化硅介质层材料，所述光反射层采用金属铝材料。

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