格芯新加坡私人有限公司K·J·黄获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利高电压静电放电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939125B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210905487.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权高电压静电放电器件是由K·J·黄;M·保罗;S·P·卡拉卡尔;R·J·小戈捷设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电压静电放电器件在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及高电压静电放电ESD器件及制造方法。该结构包括连接到阳极的竖直可控硅整流器SCR，并且包括与衬底内的第二掺杂剂类型的下伏连续层电接触的第一掺杂剂类型的掩埋层。
本发明授权高电压静电放电器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 竖直可控硅整流器SCR，其连接到阳极，并且包括与衬底内的第二掺杂剂类型的下伏连续层电接触的第一掺杂剂类型的掩埋层，其中，所述第一掺杂剂类型包括p型掺杂剂，所述第二掺杂剂类型包括n型掺杂剂，并且其中，所述下伏连续层延伸到竖直NPN器件，所述竖直NPN器件连接到阴极并且包括p型基极、n型发射极和所述下伏连续层；以及浅沟槽隔离结构，其位于所述竖直可控硅整流器和所述竖直NPN器件之间并将所述竖直可控硅整流器和所述竖直NPN器件分隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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