长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种晶圆曝光的处理方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115951564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310011198.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种晶圆曝光的处理方法、装置及存储介质是由刘志拯设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆曝光的处理方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供一种曝光的处理方法、装置及存储介质。本公开涉及半导体技术领域。该处理方法包括：待曝光面，待曝光面预设N个相邻的曝光单元，其中N为大于等于2的正整数；每个曝光单元的图样使用至少一个第一类掩膜和至少一个第二类掩膜曝光并拼接形成；其中至少一个第二类掩模包含第一图样和第二图样；第一图样和第二图样分别在曝光过程中投影于相邻的两个曝光单元。该处理方法优化了曝光处理过程，在应用于晶圆曝光时，在晶圆的待曝光面上确定出曝光单元后，基于第一类掩膜和第二类掩膜相配合，在晶圆上按照一定的排布规则对相应的曝光单元进行曝光，不仅可以节省掩膜的使用量，还能够减少曝光次数，提高了晶圆曝光效率。
本发明授权一种晶圆曝光的处理方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种曝光的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括： 确定待曝光面，所述待曝光面预设N个相邻的曝光单元，其中N为大于等于2的正整数； 每个所述曝光单元的图样使用至少一个第一类掩膜和至少一个第二类掩膜曝光并拼接形成；其中至少一个所述第二类掩膜包含第一图样、第二图样和位于所述第一图样和所述第二图样之间的第三图样；所述第一图样和第二图样分别在曝光过程中投影于相邻的两个曝光单元，对两个相邻的曝光单元进行同步曝光；所述每个所述曝光单元的图样使用至少一个第一类掩膜和至少一个第二类掩膜曝光并拼接形成，包括：在曝光过程中所述第三图样投影在两个相邻所述曝光单元之间以形成切割道。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励