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龙图腾网获悉中科南京智能技术研究院申请的专利一种基于RRAM的后置加权多比特输入存算电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211639988.7，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种基于RRAM的后置加权多比特输入存算电路及方法是由周玉梅;黎涛;乔树山;尚德龙设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于RRAM的后置加权多比特输入存算电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于RRAM的后置加权多比特输入存算电路及方法，包括多个并行的存算回路，每个存算回路包括第一钳位电路、第一电流镜、第二钳位电路、第二电流镜、采样电容和多比特输入加权电容阵列，其中，第一钳位电路连接第一电流镜的一端，第二钳位电路连接第二电流镜的一端，采样电容的下极板接地，采样电容的上极板分别连接第一电流镜的另一端、第二电流镜的另一端和多比特输入加权电容阵列。本发明能够通过电流镜技术和电容阵列实现了输入数据和权重数据的多比特加权操作，尤其可以通过成比例的电容值完成输入数据的后置加权，节省了数据输入消耗的时间，能够提高存算系统的数据吞吐量和运算效率。

本发明授权一种基于RRAM的后置加权多比特输入存算电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于RRAM的后置加权多比特输入存算电路，其特征在于，包括多个并行的存算回路，每个存算回路包括第一钳位电路、第一电流镜、第二钳位电路、第二电流镜、采样电容和多比特输入加权电容阵列，其中，第一钳位电路连接第一电流镜的一端，第二钳位电路连接第二电流镜的一端，采样电容的下极板接地，采样电容的上极板分别连接第一电流镜的另一端、第二电流镜的另一端和多比特输入加权电容阵列； 所述第一钳位电路和第二钳位电路分别包括第一RRAM存储阵列和第二RRAM存储阵列，第一RRAM存储阵列和第二RRAM存储阵列用于存储单比特权重数据； 所述多比特输入加权电容阵列包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一电容、第二电容和第三电容，第一开关的一端与第二开关的一端并联分别连接采样电容的上极板，第一开关的另一端分别连接第四开关的一端和第二电容的上极板，第二开关的另一端分别连接第三开关的一端和第一电容的上极板，第三开关的另一端和第四开关的另一端分别连接第三电容的上极板，第一电容的下极板、第二电容的下极板和第三电容的下极板接地。

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