中国科学院长春光学精密机械与物理研究所孙晓娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310064004.5，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用是由孙晓娟;臧行;黎大兵;石芝铭;蒋科;贲建伟;吕顺鹏;刘明睿设计研发完成，并于2023-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用。本发明的制备方法，方波脉冲温度对应的低温为500～700℃，在低温沉积时在衬底形成堆垛失配闪锌矿GaN结构层，方波脉冲温度对应的高温为800～1000℃，在高温沉积时在堆垛失配闪锌矿GaN结构层上沉积形成纤锌矿结构的GaN层，并掩埋堆垛失配闪锌矿GaN结构层。本发明通过控制温度呈周期性方波脉冲变化，在GaN中形成具有长程铁磁序的堆垛失配晶界，不引入其它磁性杂质，对反应腔室不存在污染；对堆垛失配闪锌矿GaN结构的能带进行模拟，确认自旋极化性质存在，在此基础上，根据平均场近似，预测居里温度，确认在温度高于室温条件下，长程磁序仍能保持。
本发明授权一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种长程铁磁性GaN材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 以Ga源、N源为原料，在衬底上沉积形成长程铁磁性GaN材料；沉积过程中温度呈周期性方波脉冲变化； 其中，方波脉冲温度对应的低温为500～700℃，在低温沉积时在所述衬底上形成堆垛失配闪锌矿GaN结构层； 方波脉冲温度对应的高温为800～1000℃，在高温沉积时在堆垛失配闪锌矿GaN结构层上沉积形成纤锌矿结构的GaN层，并掩埋堆垛失配闪锌矿GaN结构层。
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