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华中科技大学;北京大学王超获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学;北京大学申请的专利基于忆阻器的存内逻辑电路、存内逻辑计算系统及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116107963B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310131821.8,技术领域涉及:G06F15/78;该发明授权基于忆阻器的存内逻辑电路、存内逻辑计算系统及应用是由王超;赵元声;许家瑞;王宗巍设计研发完成,并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

基于忆阻器的存内逻辑电路、存内逻辑计算系统及应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于忆阻器的存内逻辑电路、存内逻辑计算系统及应用,属于集成电路技术领域,存内逻辑电路包括:相互并联的第一存储单元和第二存储单元、及产生逻辑运算结果的灵敏放大器;两个存储单元包括串联连接的忆阻器和MOS选通管;用两个忆阻器的阻值态表示第一组逻辑输入信号,两个MOS选通管栅极施加的电位信号表示第二组逻辑输入信号。还提供了一种存内逻辑计算系统及应用。本发明的存内逻辑电路具有结构简单、能够实现非破坏性逻辑计算,将其应用在存内逻辑计算系统中,能够避免忆阻器频繁擦写带来的器件老化对忆阻器计算系统造成的可靠性影响,在提高逻辑计算单元与忆阻器阵列兼容性的同时,能够保证逻辑运算单元可编程的性能。

本发明授权基于忆阻器的存内逻辑电路、存内逻辑计算系统及应用在权利要求书中公布了:1.一种基于忆阻器的存内逻辑电路,其特征在于,包括:相互并联的第一存储单元1和第二存储单元2、以及灵敏放大器3; 所述第一存储单元1包括串联连接的第一忆阻器11和第一MOS选通管12,所述第二存储单元2包括串联连接的第二忆阻器21和第二MOS选通管22; 所述第一忆阻器11和所述第二忆阻器21的一端接地;所述第一MOS选通管12和所述第二MOS选通管22的并联端与所述灵敏放大器3的第一输入端相连,所述灵敏放大器3的第二输入端连接参考信号,所述灵敏放大器3的正反两相输出电位信号为逻辑运算结果; 所述第一忆阻器11和所述第二忆阻器21的阻值态表示第一组逻辑输入信号,所述第一MOS选通管12和所述第二MOS选通管22栅极施加的电位信号表示第二组逻辑输入信号; 用第一输入信号表示所述第一忆阻器11的阻值态,第一输入信号的反相信号作为所述第二忆阻器21的阻值态; 用第二输入信号表示所述第二MOS选通管22栅极施加的电位信号,第二输入信号的反相信号作为所述第一MOS选通管12栅极施加的电位信号; 所述灵敏放大器3产生“异或”及“异或非”逻辑运算结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学;北京大学,其通讯地址为:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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