上海理工大学王金敏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海理工大学申请的专利钨铌双金属氧化物电致变色薄膜、电致变色薄膜电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211484942.2，技术领域涉及：G02F1/1524；该发明授权钨铌双金属氧化物电致变色薄膜、电致变色薄膜电极及其制备方法是由王金敏;马董云;孙佳伟设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本钨铌双金属氧化物电致变色薄膜、电致变色薄膜电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钨铌双金属氧化物电致变色薄膜、电致变色薄膜电极及其制备方法。电致变色薄膜包括呈纳米线结构，或者呈由纳米线自团聚而成的纳米线簇结构的钨铌双金属氧化物。钨铌双金属氧化物中，钨铌原子比为2:1～1:6。电致变色薄膜电极包括导电基底以及生长在导电基底上的电致变色薄膜，其制备方法包括以下步骤：按钨铌原子比，将钨源和铌源溶于酸性溶剂中，得到前驱体溶液；将导电基底浸入前驱体溶液中，进行水热反应；反应结束后，经清洗、干燥后，得到钨铌双金属氧化物电致变色薄膜电极。与现有技术相比，本发明具有宽波长范围可实现大的光调制，具有高的着色效率，多种可供选择的响应时间等优点。
本发明授权钨铌双金属氧化物电致变色薄膜、电致变色薄膜电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钨铌双金属氧化物电致变色薄膜，其特征在于，该薄膜通过一步溶剂热法在180‑200℃下制备得到，包括呈纳米线结构，或者呈由纳米线自团聚而成的纳米线簇结构的钨铌双金属氧化物； 所述的钨铌双金属氧化物中，钨铌原子比为2: 1‑1: 6，允许通过调节钨铌原子比调节其响应时间和着色效率； 钨铌双金属氧化物薄膜在390‑780 nm的可见光区实现70%的光调制，在780‑1100 nm的短波近红外光区实现80%的光调制。
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