安徽格恩半导体有限公司阚宏柱获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有应变诱导激子响应层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116131100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310191046.5，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种具有应变诱导激子响应层的半导体激光元件是由阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;刘紫涵;张江勇;马斯特;徐浩翔;陆恩;周进泽;牧立一;白怀铭;韩霖设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有应变诱导激子响应层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电器件技术领域，特别是涉及一种具有应变诱导激子响应层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，其中上波导层与电子阻挡层之间具有应变诱导激子响应层；应变诱导激子响应层为KV33Sb55、WSe22、ReO33、RbV33Sb55、CsV33Sb55、KSbO33的一种或两种以上的组合；应变诱导激子响应层通过在有源层与上波导层和或下波导层的界面施加局部应变，创建应变场，改变电子向列性，使应变诱导激子响应层消除光谱重叠的亚带隙发射态，抑制垂直方向上的模跳，产生单模激光，获得良好的FFP远场图案，并增强有源层的激子响应，降低激光元件的驱动电压和激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的光功率和斜率效率。
本发明授权一种具有应变诱导激子响应层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有应变诱导激子响应层的半导体激光元件，结构上从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于，在所述上波导层104和电子阻挡层105之间设置有应变诱导激子响应层107，所述应变诱导激子响应层107为KV3Sb5、WSe2、ReO3、RbV3Sb5、CsV3Sb5、KSbO3中任意两种以上的组合形成的特定结构，所述特定结构为异质结结构、超晶格结构、量子阱结构、核壳结构、量子点结构中的任意一种或两种以上的组合。
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