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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211320118.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王卉;曹子贵;梁海林;张连宝设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体领域中。具体的，在本发明提供的半导体器件的制造方法中，其通过在形成L型介质层之前增加了去除初始氧化层的步骤，进而避免了由于在形成堆叠结构两侧的L型介质层之前，位于堆叠结构两侧的半导体衬底表面上的初始氧化物的存在，导致L型介质层在横向方向的沉积厚度横臂厚度大于其纵向方向的沉积厚度竖臂厚度引发的后续刻蚀形成L型介质层时横向过刻蚀严重，形成的介质层不均匀的问题。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，至少包括如下步骤： 提供一半导体衬底，所述半导体衬底的整个表面上形成有初始氧化物层和覆盖在所述初始氧化物层的表面上的至少一个分立的堆叠结构； 确定所述初始氧化物层沿垂直于所述半导体衬底的表面方向的厚度值，并对所述初始氧化物层进行刻蚀工艺以及对半导体衬底进行湿法清洗工艺； 根据所述厚度值和所述湿法清洗工艺，确定完全去除所述堆叠结构两侧的初始氧化物层的刻蚀工艺参数，并刻蚀所述初始氧化物层，直至暴露出所述堆叠结构两侧所对应的半导体衬底的表面； 在所述堆叠结构两侧的侧壁及其两侧所对应的半导体衬底的表面上形成厚度均匀的介质层； 其中，根据所述厚度值和所述湿法清洗工艺，确定完全去除所述堆叠结构两侧的初始氧化物层的刻蚀工艺参数的步骤，包括： 预先建立包含针对不同氧化物层的厚度值所对应的不同刻蚀工艺参数值的数据库，所述数据库中包含多个厚度值区间和每个所述厚度值区间与刻蚀工艺参数值的对应关系； 在所述数据库中查找所述确定出的初始氧化物层的厚度值所对应的厚度值区间，并根据所述厚度值区间与参考刻蚀工艺参数值的对应关系，确定刻蚀所述初始氧化物层的刻蚀工艺的第一参数值； 所述刻蚀工艺的工艺参数包括刻蚀时间，所述刻蚀时间为：所述初始氧化物层的厚度与预设的平均刻蚀速率ER的比值； 在确定出刻蚀所述初始氧化物层的刻蚀工艺的第一参数值之后，所述制造方法还包括：对所述半导体衬底进行湿法清洗工艺； 所述对所述半导体衬底进行湿法清洗工艺的步骤，包括： 根据对所述暴露出的初始氧化物层进行的离子注入工艺和或热氧化工艺对刻蚀速率的影响，确定所述湿法清洗工艺的工艺时间，该工艺时间为第二参数值； 所述刻蚀所述初始氧化物层，直至暴露出所述堆叠结构两侧所对应的半导体衬底的表面的步骤，包括： 根据所述第二参数值，动态调整所述第一参数值，并对所述初始氧化物层以调整后的第一参数值进行干法或湿法刻蚀工艺，之后再进一步对所述半导体衬底进行工艺时间为所述第二参数值的湿法清洗工艺，以完全去除所述堆叠结构两侧的初始氧化物层。

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