长鑫存储技术有限公司帅露获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310219684.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其制造方法是由帅露;廖君玮设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供基底、位于基底表面的栅介质膜以及位于栅介质膜部分表面的栅极导电层；形成覆盖栅极导电层露出的栅介质膜表面以及栅极导电层的顶面和侧面的绝缘层；干法刻蚀绝缘层以及栅介质膜，露出部分基底，保留位于栅极导电层侧面的绝缘层作为第一侧墙，剩余栅介质膜作为第一栅介质层；对第一侧墙以及基底进行清洗处理，去除部分宽度的第一栅介质层，剩余第一栅介质层作为第二栅介质层，且第一侧墙、第二栅介质层以及基底围成缺口，其中，缺口的宽度小于第一侧墙的最大宽度；刻蚀去除位于缺口正上方的第一侧墙，剩余的第一侧墙作为第二侧墙。至少可以减少半导体结构的漏电情况。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底、位于所述基底表面的栅介质膜以及位于所述栅介质膜部分表面的栅极导电层； 形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述栅极导电层露出的所述栅介质膜表面，且还覆盖所述栅极导电层的顶面和侧面； 采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述绝缘层以及所述栅介质膜，露出部分所述基底，且保留位于所述栅极导电层侧面的所述绝缘层作为第一侧墙，剩余的所述栅介质膜作为第一栅介质层； 对所述第一侧墙以及所述基底进行清洗工艺处理，在所述清洗处理步骤中，部分宽度的所述第一栅介质层被去除，剩余的所述第一栅介质层作为第二栅介质层，且所述第一侧墙、所述第二栅介质层以及所述基底围成缺口，其中，所述缺口的宽度小于所述第一侧墙的最大宽度； 采用刻蚀工艺，刻蚀去除位于所述缺口正上方的所述第一侧墙，剩余的所述第一侧墙作为第二侧墙。
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