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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体制程的材料残余状态检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310245158.4，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种半导体制程的材料残余状态检测方法是由万亚雄;王盈智;王士欣设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体制程的材料残余状态检测方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体制程的材料残余状态检测方法，半导体制程用于制备半导体结构，半导体结构包括目标区域，材料位于目标区域且至少包括第一元素，目标区域的面积记为Stt。目标区域包括待测区域，待测区域的面积记为S00，其中，半导体结构包括至少一个标准半导体结构和至少一个待测半导体结构。检测方法包括：对标准半导体结构执行第一处理操作，以确定半导体结构的修正系数k，对待测半导体结构执行第二处理操作，以确定目标区域是否存在材料残留。

本发明授权一种半导体制程的材料残余状态检测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制程的材料残余状态检测方法，其特征在于，所述半导体制程用于制备半导体结构，所述半导体结构至少包括目标区域，所述材料位于所述目标区域且至少包括第一元素，所述目标区域的面积记为St；所述目标区域至少包括待测区域，所述待测区域的面积记为S0；其中，所述半导体结构包括至少一个标准半导体结构和至少一个待测半导体结构；所述检测方法包括： 对所述标准半导体结构执行第一处理操作，以确定所述半导体结构的修正系数k，包括： 获取所述标准半导体结构位于所述待测区域的所述第一元素的第三检测强度I3； 执行湿式化学处理工艺，以获取第二制程结构时所述标准半导体结构位于所述目标区域的所述第一元素的材料残留量WX1； 基于所述WX1及所述I3确定所述半导体结构的修正系数k； 对所述待测半导体结构执行第二处理操作，以确定所述目标区域是否存在材料残留，包括： 获取所述待测半导体结构在第一制程结束时位于所述待测区域内的所述第一元素的第一检测强度I1，并基于所述k、所述I1及所述S0计算第一制程结束时所述待测区域内的所述第一元素的含量W1; 获取所述待测半导体结构在第二制程结束时位于所述待测区域内的所述第一元素的第二检测强度I2，并基于所述k、所述I2及所述S0计算第二制程结束时所述待测区域内的所述第一元素的含量W2; 基于所述W1、所述W2、所述St和所述S0进行计算以获得计算结果，并基于所述计算结果判断所述目标区域是否存在材料残留。

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