买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于石墨烯的涡旋光束手性调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116243476B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211434795.8，技术领域涉及：G02B27/00；该发明授权基于石墨烯的涡旋光束手性调控方法是由崔志伟;马万琦;武福平;赵文娟;石逸宇;刘展飞;任帅帅设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于石墨烯的涡旋光束手性调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开的基于石墨烯的涡旋光束手性调控方法，具体步骤如下：S1、石墨烯‑基底系统表面涡旋光束反射示意图的建立；S2、石墨烯‑基底系统菲涅尔反射系数的描述；S3、入射涡旋光束的标量角谱描述；S4、石墨烯表面涡旋光束反射全矢量理论模型的建立；S5、石墨烯表面反射涡旋光束手性密度的计算。该方法利用石墨烯独特的可调谐性，通过改变石墨烯费米能量、衬底折射率实现对涡旋光束手性的灵活调控。

本发明授权基于石墨烯的涡旋光束手性调控方法在权利要求书中公布了：1.基于石墨烯的涡旋光束手性调控方法，其特征在于，具体步骤如下： S1、石墨烯‑基底系统表面涡旋光束反射示意图的建立； 步骤S1中，建立石墨烯‑基底系统表面涡旋光束反射示意图的具体方法为：设空气的折射率为，基底的折射率为；其中，石墨烯‑基底界面位于全局坐标系中，全局坐标系中的轴垂直于石墨烯‑基底界面并指向基底；位于基底顶部的单层石墨烯在的位置；和分别代表入射光束坐标系和反射光束坐标系；和分别表示中心波矢量的入射角和反射角； S2、石墨烯‑基底系统菲涅尔反射系数的描述； 步骤S2中，石墨烯‑基底系统的菲涅尔反射系数表示为： 12其中，为水平极化情况的菲涅尔反射系数，为垂直极化情况的菲涅尔反射系数，为基底的折射率，为空气的折射率，是真空中的介电常数，为角频率，，，为光束在空气中的波数，是光束的入射角，为真空中的光束，为石墨烯的光学电导率，表达式如下： 3其中，表示虚数，为电子电荷量，为石墨烯的费米能量，为约化普朗克常量，为角频率，为弛豫时间，为费米速率，是电子迁移率，为海维赛德阶跃函数，即单位阶跃函数； S3、入射涡旋光束的标量角谱描述； 步骤S3的具体实施方式为：在入射光束坐标系中，的初始平面上涡旋光束的复振幅表达式为： 4其中，为涡旋光束的束腰半径，为拓扑荷数，为符号函数； 将式4代入下式5，进行傅里叶变换； 5得到入射涡旋光束的标量角谱，表达式为： 6其中，和为入射光束波矢量的横向分量； S4、石墨烯表面涡旋光束反射全矢量理论模型的建立； 步骤S4的具体实施方式为： 首先，涡旋光束在石墨烯表面反射后，确定其角谱表达式为： 7其中，和分别为反射涡旋光束角谱的水平分量和垂直分量，和为反射光束波矢量的横向分量，和为入射涡旋光束的极化参数，为反射光束的标量角谱，通过对入射涡旋光束的标量角谱施加边界条件和，得到反射涡旋的标量角谱，即8然后，在入射光束坐标系中，引入矢量势，表达式为： 9其中，为反射光束波矢量的模值，和分别为沿和轴的单位矢量，和分别为为反射涡旋光束复振幅的水平分量和垂直分量，通过下式逆傅里叶变换得到： 10将式7代入式10，积分得到1112其中13141516式中，为反射涡旋光束的瑞利距离； 最后，在洛伦兹规范条件下，反射涡旋光束的电场和磁场采用矢量势表示为： 1718其中，为反射涡旋光束的波阻抗，、和分别为沿、和轴的单位矢量，、、和具体的表达式为： 19202122式中232425262728； S5、石墨烯表面反射涡旋光束手性密度的计算； 步骤S5的具体实施方式为： 将步骤S4中推导得到的涡旋光束在石墨烯表面反射后的电场和磁场代入光学手性密度表达式，其中光学手性密度定义为： 29式中，为角频率，为真空中的光速，表示虚部，“*”表示复共轭。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。