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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116252236B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211599677.2，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法是由周国安;罗大杰;马琳设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法，通过将正面刻蚀有凹槽、且正面沉积有氧化层薄膜待处理晶圆置于抛光台上，将凹槽外的待处理晶圆正面作为目标平面，在抛光台上对目标平面的氧化层薄膜进行初级抛光，直至所述氧化层薄膜达到目标厚度，以初步去除目标平面上的大量氧化物，再对所述目标平面进行二级抛光，直至目标平面上的氧化层薄膜完全去除，二级抛光的抛光量较小，二级抛光过程中可以精确控制目标平面以上氧化层薄膜的去除量，以将氧化层薄膜精准的完全去除，进而能够提高晶圆表面沉积层的去除质量。

本发明授权半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面沉积层的去除方法，其特征在于，所述方法包括： 将待处理晶圆置于抛光台上，其中，所述待处理晶圆为正面刻蚀有凹槽，且所述正面沉积有氧化层薄膜的晶圆； 在所述抛光台上对目标平面的所述氧化层薄膜进行初级抛光，直至所述氧化层薄膜达到目标厚度，其中，所述目标平面为所述凹槽外的所述待处理晶圆正面，所述初级抛光选用粗抛光液； 对所述目标平面的所述氧化层薄膜进行二级抛光，直至所述目标平面以上的氧化层薄膜完全去除； 所述在所述抛光台上对目标平面的所述氧化层薄膜进行初级抛光，直至所述氧化层薄膜达到目标厚度，包括： 采用复合抛光垫对所述目标平面的所述氧化层薄膜进行初级化学机械抛光，使所述氧化层薄膜的氧化物去除率不小于6000埃分钟； 在所述初级抛光的抛光时长达到预设时长；或初级抛光面的检测光谱为目标光谱时，确定所述氧化层薄膜达到0.5‑1.5um，停止对所述氧化层薄膜进行所述初级抛光； 对所述目标平面的所述氧化层薄膜进行二级抛光，包括： 将完成所述初级抛光的晶圆移动至二级抛光台上； 采用水溶性抛光液和复合抛光垫对所述氧化层薄膜进行二级化学机械抛光； 在检测到所述氧化层薄膜的氧化物和晶圆正面的二氧化硅的去除比为1∶0.9‑1.1时，控制停止对所述氧化层薄膜进行所述二级抛光； 所述对所述目标平面的所述氧化层薄膜进行二级抛光之后，所述方法还包括： 将完成所述二级抛光的晶圆移动至三级抛光台上，其中，所述三级抛光台与所述初级抛光和所述二级抛光的抛光台结构相同，所述初级抛光的抛光台、所述二级抛光台和所述三级抛光台设置在三个独立的封闭空间中； 在所述三级抛光台上对所述目标平面进行三级化学机械抛光，直至所述目标平面的粗糙度低于1nm； 所述在所述三级抛光台上对所述目标平面进行三级化学机械抛光，包括： 将软性抛光垫贴合所述目标平面，移动抛光头至所述软性抛光垫上，并喷洒精抛光液或纯水至所述软性抛光垫； 控制所述抛光台和所述抛光头同向转动，且转速均不小于100RPM； 对所述抛光台和所述抛光头的贴合面进行区域压力控制，使贴合压力均匀且不大于3PSI，以进行三级化学机械抛光。

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