华东理工大学刘殿华获国家专利权
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龙图腾网获悉华东理工大学申请的专利一种对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂的制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116265430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111550418.6，技术领域涉及：C07C67/36；该发明授权一种对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂的制备方法与应用是由刘殿华;宋建华设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂的制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂的制备方法，包括以下步骤：在恒温条件下，将氢键供体与氢键受体混合，用抽真空以及氮气吹扫的方式除去卤素，获得所述对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂。本发明提供了一种简单、高效、低成本、酸性可控的对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂的制备方法，用于烯烃的烷氧羰基化反应中，实现了烯烃烷氧羰基化体系反应后催化剂的自动分离，在均相反应中保留了均相反应的高活性，易于催化剂的分离，降低了催化剂分离的成本，提高了催化剂的活性。
本发明授权一种对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂的制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在恒温40～100℃条件下，将摩尔比为0.5～5:1的氢键供体与氢键受体混合，抽真空，真空度维持在0～‑101.3kpa之间，抽真空1h后，在抽真空的同时通入氮气吹扫，氮气吹扫时表压维持在‑100～101.3kpa之间，上述抽真空氮气吹扫反复进行，每抽真空1小时后氮气吹扫一次，抽真空的总时间为1～24h，氮气吹扫共一至二十四次，反应结束后得到所述对甲苯磺酸基低卤素深共熔溶剂； 所述氢键供体选自对甲苯磺酸、对甲苯磺酸一水合物； 所述氢键受体选自氯化胆碱、苄基三苯基氯化膦、氯化1‑丁基‑3‑甲基咪唑、四丁基氯化胺、四甲基氯化胺、甲基三苯基氯化膦、烯丙基三苯基氯化膦。
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