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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种氧化镓叠层全环绕栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310157613.5，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种氧化镓叠层全环绕栅场效应晶体管及其制备方法是由冯欣;赵江涵;周弘;宁静;张苇杭;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓叠层全环绕栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓叠层全环绕栅场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域；所述晶体管主要解决了目前氧化镓MOS器件普遍存在的栅控能力弱，开关导通比低，阈值摆幅较大的问题。其自下而上包括绝缘衬底、氧化镓沟道层、包围氧化镓沟道的二维材料介质层和栅极、绝缘层以及上方重复的堆叠结构。环绕包围沟道的栅极通过剥离薄膜的形式实现，解决了GAA结构工艺实现困难的问题；栅极的四面接触为器件带来了良好沟道控制能力。本发明提高了器件的开关导通比，可用于制作高开关特性的氧化镓MOSFET器件。

本发明授权一种氧化镓叠层全环绕栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓叠层全环绕栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤： 步骤s1：β‑Ga2O3薄膜的制备；将β‑Ga2O3衬底材料通过反复对撕得到β‑Ga2O3薄膜，再通过PDMS胶转移β‑Ga2O3薄膜； 步骤s2：衬底材料预处理；处理目标衬底表面，得到表面洁净的衬底材料； 步骤s3：制备h‑BN二维材料；选取h‑BN晶体并对其反复撕扯，将获得的纳米级h‑BN二维材料转移到 PDMS胶上，选取并标记厚度为15‑60nm的h‑BN二维材料； 步骤s4：制备转移石墨烯所用的转移模；使用透明玻璃，通过Pritt胶带的粘合剂面朝向玻璃贴合；旋涂溶于甲基异丁基酮溶液中的甲基丙烯酸酯共聚物，所述甲基异丁基酮溶液的溶剂为MIBK溶剂；烘烤转移膜，以从共聚物中去除MIBK溶剂； 步骤s5：制备并转移石墨烯纳米膜至转移模；使用机械剥离法剥离一定层数的石墨烯薄层，将石墨烯薄层沉积在所述甲基丙烯酸酯共聚物层上； 步骤s6：转移石墨烯纳米膜至目标衬底；将衬底样品置于支架上，将带有石墨烯纳米膜的共聚物对准衬底表面，将共聚物侧的掩模降低到加热基板上，使共聚物接触衬底表面并融化附着在衬底上； 步骤s7：去除附着于衬底的共聚物；去除甲基丙烯酸酯共聚物，然后使用异丙醇冲洗，得到大面积转移的石墨烯纳米膜作为底栅； 步骤s8：转移h‑BN二维材料；利用转移平台将制备的h‑BN二维材料转移至带有石墨烯纳米膜的衬底片上； 步骤s9：制作β‑Ga2O3沟道层；在转移平台中，选取合适大小的β‑Ga2O3薄膜，转移堆叠至h‑BN二维材料之上； 步骤s10：转移栅介质及石墨烯栅至沟道层上方；将h‑BN二维材料与目标衬底接触并静置，在沟道层上方沉积h‑BN栅介质；然后将带有石墨烯纳米膜的转移膜靠近样品粘附在衬底上，冷却后浸泡和冲洗去除甲基丙烯酸酯共聚物，完成一层全环绕栅结构的制作； 步骤s11：转移h‑BN二维材料至顶栅之上；选取h‑BN二维材料，利用转移平台转移至器件的底栅‑栅介质‑沟道‑介质‑顶栅第一层全环绕结构上方； 步骤s12：制作第二层叠层全环绕栅；重复所述步骤s9和步骤s10，在单层β‑Ga2O3沟道的全环绕栅器件基础上再搭建一层相同的重复堆叠结构； 步骤s13：转移源、漏金属电极并退火形成欧姆接触；转移蒸镀的AuTi金属电极，然后进行退火，形成良好欧姆接触。

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