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龙图腾网获悉清华大学申请的专利获取阻变器件导电通道分布的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116400154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310263816.2，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权获取阻变器件导电通道分布的方法是由吴华强;孙雯;高滨;唐建石设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本获取阻变器件导电通道分布的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了获取阻变器件导电通道分布的方法，该方法包括提供阻变器件，该器件具有多个阵列排布的阻变器件单元；调控阻变器件的外界电压，剥离第一阵列电极层和或第二阵列电极层暴露阻变层，获得不同阻态的待测阻变器件单元；扫描不同阻态的待测阻变器件单元的阻变层的表面信息，以获得不同阻态的待测阻变器件单元的电流分布；对阻变层进行平面取样，获得待测平面；令待测平面沿轴向旋转，扫描待测平面多个不同角度的结构信，对结构信息二维数据集进行三维重构，获得不同阻态的待测阻变器件单元的微观结构三维分布。由此，可以获得阵列级别阻变器件导电通道的电流分布与导电通道的微观结构的三维分布之间的对应关系。

本发明授权获取阻变器件导电通道分布的方法在权利要求书中公布了：1.一种获取阻变器件导电通道分布的方法，其特征在于，包括： 提供阻变器件，所述阻变器件包括层叠设置的第一阵列电极层、阻变层以及第二阵列电极层，所述第一阵列电极层、所述阻变层以及所述第二阵列电极层中的至少之一包括多个阵列排布的子结构，所述阻变器件包括多个阵列排布的阻变器件单元； 调控所述阻变器件的外界电压，并剥离所述第一阵列电极层和或所述第二阵列电极层以暴露所述阻变层，以获得不同阻态的待测阻变器件单元； 通过扫描所述阻变层的表面信息，所述表面信息包括导电通道的数量和分布位置，以获得所述不同阻态的所述待测阻变器件单元的电流分布； 对所述阻变层进行平面取样，以获得待测平面，所述待测平面为平行于所述阻变层一侧表面的平面； 令所述待测平面沿轴向旋转，通过扫描所述待测平面沿轴向旋转下的多个不同角度的结构信息，以获得所述待测平面在多个不同角度下的所述结构信息的二维数据集；对所述结构信息的二维数据集进行三维重构，得到所述不同阻态的所述待测阻变器件单元的微观结构的三维分布，所述结构信息包括导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态。

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