中国科学院半导体研究所周代兵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利双端面可调谐激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116488001B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210051661.1，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权双端面可调谐激光器及其制备方法是由周代兵;安欣;陆丹;梁松;赵玲娟;王圩设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本双端面可调谐激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双端面可调谐激光器及其制备方法。本发明提出的双端面可调谐激光器，包括：位于InP衬底上的一个光栅区、两个相位区及两个增益区，光栅区位于InP衬底中段，两个相位区位于光栅区两侧，两个增益区分别位于两个相位区外侧，其中，增益区自下而上依次包括下波导层、多量子阱层、上波导层，多量子阱层包括相互交叠的阱层和垒层，阱层为压应变阱层，垒层为张应变垒层；光栅区及相位区由InGaAsP或InGaAlAs构成，光栅区包括光栅结构；光栅区、相位区、增益区高度相同。本发明通过背靠背的形式，把两个波长可调谐的激光器集成在一起，共用光栅区，双端面出光。本发明减少了一个光栅区，大大降低了集成芯片的功耗，提高了芯片的集成度。
本发明授权双端面可调谐激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双端面可调谐激光器，其特征在于，包括： 位于InP衬底上的一个光栅区、两个相位区及两个增益区，所述一个光栅区位于所述InP衬底中段，所述两个相位区位于所述一个光栅区两侧，所述两个增益区分别位于所述两个相位区外侧，其中，所述增益区自下而上依次包括下波导层、多量子阱层、上波导层，所述多量子阱层包括相互交叠的阱层和垒层，所述阱层为压应变阱层，所述垒层为张应变垒层； 所述光栅区及相位区由InGaAsP或InGaAlAs构成，所述光栅区包括光栅结构； 所述光栅区、相位区、增益区高度相同； 所述光栅区、相位区、增益区上包括包层、电接触层及P面电极，所述电接触层及P面电极包括隔离槽，用于使所述光栅区、相位区、增益区的电接触层相互间隔； 所述衬底下表面包括N面电极。
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