中南大学郑煜获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利应用于硅光波导的非侵入式光功率监测结构与监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120869344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511390285.9，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权应用于硅光波导的非侵入式光功率监测结构与监测方法是由郑煜;欧阳新宇;覃兵东;刘树设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于硅光波导的非侵入式光功率监测结构与监测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及硅光波导监测技术领域，具体公开了应用于硅光波导的非侵入式光功率监测结构与监测方法，硅光波导的顶层硅和衬底硅晶圆中均含有低掺杂，具有一定的电阻率且不影响光的传输，在硅光波导的波导层上方间距一定距离沉积两个金属电极，其中一个金属电极接入交流电信号，另一个金属电极接入TIA垮阻放大器电路作为放大器单元对电信号进行放大，无需从硅光波导中耦合出光信号即可对硅光波导中传输的光信号功率进行监测，并以此作为反馈信号，对硅光波导相位进行修正，该监测结构制造工艺简单，监控效率高、成本低，解决了传统的应用于硅光波导的监测结构不仅会增加耦合结构，还会削弱硅光波导上的光信号的问题。
本发明授权应用于硅光波导的非侵入式光功率监测结构与监测方法在权利要求书中公布了：1.应用于硅光波导的非侵入式光功率监测结构，其特征在于，所述硅光波导从下至上包括衬底硅晶圆、氧化层、由顶层硅制备而成的波导层，以及上包层，所述衬底硅晶圆和顶层硅含有P掺杂或N掺杂，且掺杂浓度不低于； 所述非侵入式光功率监测结构包括源电极、测试电极、连接在源电极的交流电压源、以及连接在测试电极的TIA跨阻放大器电路； 所述源电极和测试电极均设于硅光波导的波导层的正上方、并位于上包层的上表面，且源电极和测试电极相邻设置且间距不小于10μm； 所述源电极、测试电极与硅光波导之间均分别形成有电容，源电极同测试电极在硅光波导以外的区域同衬底硅晶圆之间形成有电容，硅光波导与衬底硅晶圆之间形成有电容； 源电极与测试电极之间的顶层硅因掺杂具有阻值，同一位置的衬底硅晶圆也具有阻值。
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