武汉鑫威源电子科技有限公司石正强获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉鑫威源电子科技有限公司申请的专利一种晶圆表面油污检测方法、系统和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120870155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511139850.4，技术领域涉及：G01N21/94；该发明授权一种晶圆表面油污检测方法、系统和存储介质是由石正强;刘峻松设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆表面油污检测方法、系统和存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了晶圆表面油污检测方法、系统和存储介质，方法包括：获取经等离子气相沉积形成有二氧化硅介质层的待检测晶圆的表面光学图像；对表面光学图像预处理，获得预处理图像进行识别，确定二氧化硅介质层对应的介质成像；对介质成像进行裂纹检测，判断其中是否存在裂纹，若存在则提取裂纹特征；判断裂纹特征与预设参考裂纹特征是否匹配，若匹配，则判定待检测晶圆的表面存在油污污染。本发明通过晶圆进行等离子气相沉积形成二氧化硅介质层时，对于油污区域和非油污区域，所形成二氧化硅介质层存在差异来进行晶圆表面油污的有效检测，避免晶圆表面油污对晶圆后续加工工艺及晶圆本身性能的影响，保障了由晶圆加工获得的半导体芯片的性能。
本发明授权一种晶圆表面油污检测方法、系统和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面油污检测方法，其特征在于，所述晶圆表面油污检测方法包括： 获取待检测晶圆的表面光学图像，其中，所述待检测晶圆至少经等离子气相沉积形成有二氧化硅介质层； 对所述表面光学图像进行预处理，获得预处理图像，并对所述预处理图像进行识别，确定与所述二氧化硅介质层对应的介质成像； 对所述介质成像进行裂纹检测，判断所述介质成像中是否存在裂纹，若存在裂纹，则提取所述介质成像中的裂纹特征； 判断所述裂纹特征与预设参考裂纹特征是否匹配，若与预设参考裂纹特征匹配，则判定所述待检测晶圆的表面存在油污污染。
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