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龙图腾网获悉江苏汉可智能装备有限公司申请的专利一种半导体器件电极及其保护层制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511520770.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种半导体器件电极及其保护层制备方法是由黄海宾;刘峰学设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件电极及其保护层制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件电极及其保护层制备方法，包括：金属电极和HoFCVD设备，所述金属电极利用HoFCVD设备在其表面通过沉积的方式覆盖保护层。本发明利用氮化硅或氮氧化硅具有良好的耐候性和化学稳定性，覆盖在电极上方，可以起到隔绝外界环境的水汽、紫外线、化学试剂等的侵蚀，对电极起到保护作用，氮化硅或氮氧化硅膜层具有减反作用，具体针对太阳能电池时，可以提高电池对太阳光的吸收能力，提高光电转化效率；使TCO层仅发挥增加导电性的功效，TCO的减薄将大幅降低异质结太阳能电池的制造成本；可应用在绝大多数的半导体器件电极保护上，可实现该保护膜层的大批量工业化生产和大规模应用。

本发明授权一种半导体器件电极及其保护层制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件电极的保护层制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、把完成金属电极制作的半导体器件放置在载板上，金属电极面向热丝方向； S2、将放置半导体器件的载板送到HoFCVD设备中，HoFCVD设备具有上料自动化、Load 腔、加热腔、工艺腔、Unload腔和下料自动化结构； S3、工艺腔中通入H2、SiH4、NH3、O2或者H2、SiH4、NH3、N2O或者H2、六甲基二硅氮烷、NH3、N+O沉积氮化硅或氮氧化硅在金属电极上形成保护层，保护层厚度为100‑200nm； 所述HoFCVD工艺腔的沉积温度为室温至200℃，沉积速率为1–4 nms，热丝温度为1800–2200℃，HoFCVD设备增加分子泵抽速，维持工艺腔腔体体积L分子泵抽速Ls比值≤0.25； 所述保护层兼具电极防护、光学减反射及允许透明导电氧化物TCO层减薄； 所述保护层对应金属电极连接部位的上开设通孔，使金属电极暴露以实现电连接。

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