荣芯半导体(宁波)有限公司刘灿春获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013365B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511535823.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制作方法是由刘灿春;高博设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述器件包括：衬底，衬底内形成有有源区与隔离结构；位于有源区上的栅极与阻挡层，沿第二方向延伸至隔离结构上，阻挡层覆盖栅极的一侧侧壁并延伸覆盖栅极的部分顶部；场板，位于阻挡层上；虚拟栅极，位于场板两端的隔离结构上，虚拟栅极与栅极之间具有间隙，且阻挡层至少覆盖部分虚拟栅极；侧墙，位于栅极与虚拟栅极的侧壁，侧墙材料填满栅极与虚拟栅极之间的间隙。本发明通过在栅极被阻挡层覆盖的一侧的隔离结构上设置虚拟栅极，在虚拟栅极与栅极之间的间隙内填满侧墙材料，从而阻断栅极侧墙下方的空洞通道，避免场板与空洞连通，由此避免短路导致的器件损坏，增大工艺窗口，提高产品可靠性。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内形成有沿第一方向延伸的有源区以及包围所述有源区的隔离结构； 栅极，位于所述有源区上，所述栅极沿第二方向延伸并延伸至所述隔离结构上，其中所述第一方向与所述第二方向相垂直； 阻挡层，位于所述有源区上，所述阻挡层沿所述第二方向延伸并延伸至所述隔离结构上，所述阻挡层覆盖所述栅极的一侧侧壁并延伸覆盖所述栅极的部分顶部； 场板，位于所述阻挡层上，所述场板沿所述第二方向延伸并延伸至所述隔离结构上； 虚拟栅极，位于所述场板两端的所述隔离结构上，且位于所述栅极被所述阻挡层覆盖的一侧，所述虚拟栅极与所述栅极之间具有间隙，且所述阻挡层至少覆盖部分所述虚拟栅极；以及，侧墙，位于所述栅极与所述虚拟栅极的侧壁，侧墙材料填满所述栅极与所述虚拟栅极之间的间隙；所述虚拟栅极与所述栅极之间的间距小于等于所述侧墙的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人荣芯半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315809 浙江省宁波市北仑区柴桥街道金水桥路28号4幢1号1层-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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