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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于忆阻器的三值逻辑门电路、控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121077453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511614085.7，技术领域涉及：H03K19/02；该发明授权基于忆阻器的三值逻辑门电路、控制方法及系统是由王兴晟;甘周超;程放;张效楠;缪向水设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于忆阻器的三值逻辑门电路、控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于忆阻器的三值逻辑门电路、控制方法及系统，属于微电子逻辑运算技术领域；本发明包括两个忆阻器、一个定值电阻和一个多值比较器，利用忆阻器的高阻态、中阻态和低阻态分别对应不同的三值逻辑，通过对忆阻器输入端口的电压进行调整，并通过多值比较器比较电阻第一端处的电压Vcc与预设参考电压Vr1r1和Vr2r2的关系，即可实现对三值逻辑的判断与输出，既能实现具有二输入的三值逻辑运算，也能通过悬空输入实现具有单输入的三值逻辑运算，具有较高的通用性。与此同时，本发明结构简单，且无需依赖忆阻器阻值状态来表达输出结果，不易受到忆阻器翻转特性的制约，能够以一种简单且较为通用的电路结构来实现准确的三值逻辑门运算。

本发明授权基于忆阻器的三值逻辑门电路、控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器的三值逻辑门电路，其特征在于，包括：多值比较器、电阻和两个相同的忆阻器M1、M2；所述忆阻器M1、M2的正极分别记为端口T1和端口T2，负极均与电阻的第一端相连；所述电阻的第二端记为端口T3； 所述多值比较器用于将所述电阻第一端处的电压Vc分别与预设参考电压Vr1和Vr2进行比较，输出与三值逻辑运算结果相对应的电压值，进而得到三值逻辑运算结果：当Vc＜Vr1时，所述多值比较器输出与值Z1相对应的电压；当Vr1＜Vc＜Vr2，所述多值比较器输出与值Z2相对应的电压；当Vc＞Vr2，所述多值比较器输出与值Z3相对应的电压； 当所述三值逻辑门电路用于对输入值a、b执行具有二输入的三值逻辑运算时：所述忆阻器M1的阻值状态为与值a相对应的阻值状态；所述忆阻器M2的阻值状态为与逻辑值b相对应的阻值状态；所述端口T1用于接入电压VT1，所述端口T2用于接入电压VT2，所述端口T3用于接地；Vr1=Vr1,2，Vr2=Vr2,2；电压VT1、VT2、Vr1,2、Vr2,2的取值由具有二输入的三值逻辑运算类型决定； 当所述三值逻辑门电路用于对输入值a执行具有单输入的三值逻辑运算时：所述忆阻器M1的阻值状态为与值a相对应的阻值状态；所述端口T1用于接入电压VT1'，所述端口T2处于悬空状态；所述端口T3用于接地；Vr1=Vr1,1，Vr2=Vr2,1；电压VT1、Vr1,1、Vr2,1的取值由具有单输入的三值逻辑运算类型决定； 其中，a为Z1或Z2或Z3；b为Z1或Z2或Z3；分别与值Z1、Z2、Z3相对应的忆阻器阻值状态依次为忆阻器的高阻态、中间阻态和低阻态；中间阻态下的阻值为预设阻值RIRS；RLRS＜RIRS＜RHRS；RLRS为忆阻器处于低阻态下的阻值；RHRS为忆阻器处于高阻态下的阻值。

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