杭州富芯半导体有限公司范屹梁获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511612072.6，技术领域涉及：H10D1/47；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由范屹梁设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有薄膜电阻结构；在所述衬底上依次形成覆盖所述薄膜电阻结构的接触中间层、金属层和介质反射层；执行光刻工艺，在所述介质反射层上形成定义金属连线的图形；执行第一刻蚀工艺，去除所述定义金属连线的图形区域之外的介质反射层和金属层；执行第二刻蚀工艺，去除所述定义金属连线的图形区域之外的接触中间层，形成搭接所述薄膜电阻结构的金属连线，所述金属连线通过底部的接触中间层与所述薄膜电阻电连接。本申请提供的制备方法无需冗余的光刻步骤，及额外的平坦化和通孔刻蚀，工艺简单、易控制，不易产生工艺缺陷。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有薄膜电阻结构； 在所述衬底上依次形成覆盖所述薄膜电阻结构的接触中间层、金属层和介质反射层； 执行光刻工艺，在所述介质反射层上形成定义金属连线的图形； 执行第一刻蚀工艺，去除所述定义金属连线的图形区域之外的介质反射层和金属层； 执行第二刻蚀工艺，去除所述定义金属连线的图形区域之外的接触中间层，形成搭接所述薄膜电阻结构的金属连线，所述金属连线通过底部的接触中间层与所述薄膜电阻电连接； 其中，所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀；通过调整刻蚀气体中氮气的占比，提高金属层对接触中间层的刻蚀选择比，使得对金属层的刻蚀速率更大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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