芯联动力科技(绍兴)有限公司李翔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯联动力科技(绍兴)有限公司申请的专利外延结构及制备方法、HEMT器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121087618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511613921.X，技术领域涉及：C30B29/38；该发明授权外延结构及制备方法、HEMT器件及制备方法是由李翔设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延结构及制备方法、HEMT器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种外延结构的制备方法、外延结构、HEMT器件的制备方法以及HEMT器件，其中方法包括：提供衬底；在衬底上外延生长BxxAl1‑x1‑xN成核层，其中，0＜x≤1；在BxxAl1‑x1‑xN成核层上外延生长ByyAl1‑y1‑yN渐变缓冲层，其中，0≤y≤1，沿远离衬底的方向，y从y0先减小至y2再增大至y1或先增大至y3再减小至y1；在ByyAl1‑y1‑yN渐变缓冲层上外延生长MzzGa1‑z1‑zN外延层，其中，0≤z＜1，M包括B、Al、In、Ti中的至少一种，By1y1Al1‑y11‑y1N与MzzGa1‑z1‑zN的晶格常数的差异小于By2y2Al1‑y21‑y2N或By3y3Al1‑y31‑y3N与MzzGa1‑z1‑zN的晶格常数的差异。如此，有利于形成高质量的MzzGa1‑z1‑zN外延层，进而有效保障GaN器件的质量。
本发明授权外延结构及制备方法、HEMT器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上外延生长BxAl1‑xN成核层，其中，0＜x≤1； 在所述BxAl1‑xN成核层上外延生长ByAl1‑yN渐变缓冲层，其中，0≤y≤1，沿远离所述衬底的方向，y从y0先减小至y2再增大至y1或先增大至y3再减小至y1； 在所述ByAl1‑yN渐变缓冲层上外延生长MzGa1‑zN外延层，其中，0≤z＜1，M包括B、Al、In、Ti中的至少一种，By1Al1‑y1N与MzGa1‑zN的晶格常数的差异小于By2Al1‑y2N或By3Al1‑y3N与MzGa1‑zN的晶格常数的差异。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联动力科技(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道人民东路1433号1号楼203-18；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励