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西安邮电大学董嗣万获国家专利权

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龙图腾网获悉西安邮电大学申请的专利一种基于环形VCO量化器的CT型Sigma-Delta调制器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121098328B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511633642.X,技术领域涉及:H03M3/00;该发明授权一种基于环形VCO量化器的CT型Sigma-Delta调制器是由董嗣万;张耀东;单成;佟星元设计研发完成,并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于环形VCO量化器的CT型Sigma-Delta调制器在说明书摘要公布了:本发明涉及一种Sigma‑Delta调制器,具体涉及一种基于环形VCO量化器的CT型Sigma‑Delta调制器。该Sigma‑Delta调制器包括滤波模块、VCO量化器模块和电流舵反馈DAC模块;滤波模块的输入正端和输入负端分别连接外部的上位器件;VCO量化器模块的输入正端和输入负端分别连接滤波模块的输出正端和输出负端,VCO量化器模块的输出端分别连接电流舵反馈DAC模块的输入端和外部的下位器件;VCO量化器模块将模拟电压信号转换为数字信号后分别输出至电流舵反馈DAC模块和外部的下位器件;电流舵反馈DAC模块的输出正端和输出负端分别连接滤波模块的反馈正端和反馈负端。本发明的调制器功耗较低、芯片面积较小。

本发明授权一种基于环形VCO量化器的CT型Sigma-Delta调制器在权利要求书中公布了:1.一种基于环形VCO量化器的CT型Sigma‑Delta调制器,其特征在于: 包括滤波模块、VCO量化器模块和电流舵反馈DAC模块; 所述滤波模块的输入正端和输入负端分别连接外部的上位器件,用于接收外部的上位器件输入的模拟电压信号,并进行滤波; 所述VCO量化器模块的输入正端和输入负端分别连接滤波模块的输出正端和输出负端,VCO量化器模块的输出端分别连接电流舵反馈DAC模块的输入端和外部的下位器件;所述VCO量化器模块用于将模拟电压信号转换为数字信号后,分别输出至电流舵反馈DAC模块和外部的下位器件; 所述电流舵反馈DAC模块的输出正端和输出负端分别连接滤波模块的反馈正端和反馈负端,组成级联谐振反馈结构; 所述滤波模块为三阶环路滤波结构,包括三级RC积分器电路和两个谐振电阻RF; 第一级RC积分器电路的输入正端和输入负端分别连接外部的上位器件,用于接收外部的上位器件输入的模拟电压信号,输出正端和输出负端分别连接第二级RC积分器电路的输入正端和输入负端;第二级RC积分器电路的输出正端和输出负端分别连接第三级RC积分器电路的输入正端和输入负端;第三级RC积分器电路的输出正端和输出负端分别连接VCO量化器模块的输入正端和输入负端; 两个所述谐振电阻RF的一端分别连接第二级RC积分器电路的输入正端和输入负端,另一端分别连接第三级RC积分器电路的输出负端和输出正端; 所述电流舵反馈DAC模块包括反馈DAC单元和零阶反馈DAC单元; 所述反馈DAC单元和零阶反馈DAC单元的输入端分别连接VCO量化器模块的输出端; 所述反馈DAC单元的三个输出正端分别连接三级RC积分器电路的反馈正端,三个输出负端分别连接三级RC积分器电路的反馈负端; 所述零阶反馈DAC单元的输出正端和输出负端分别连接第三级RC积分器电路的零阶反馈正端和零阶反馈负端; 所述反馈DAC单元包括三个反馈电路; 每个反馈电路的N个输入端分别连接VCO量化器模块的输出端,输出正端分别连接三级RC积分器电路的反馈正端,输出负端分别连接三级RC积分器电路的反馈负端; 三个所述反馈电路均包括电流源IREF01、电流源IREF02、MOS管Mc1、MOS管Mc2、MOS管Mc3、MOS管Mc4、MOS管Mc5、MOS管Mc6、RC降噪组件、N个开关管和N个级联电流源; N个所述开关管均包括MOS管Mc7和MOS管Mc8;N个所述级联电流源均包括MOS管Mc9和MOS管Mc10; 所述MOS管Mc1~MOS管Mc3和MOS管Mc7~MOS管Mc10均为NMOS管;所述MOS管Mc4~MOS管Mc6均为PMOS管; 所述MOS管Mc1的栅极连接MOS管Mc2的栅极,且连接的节点与MOS管Mc1的漏极共同连接电流源IREF01的输出端; 所述MOS管Mc1和MOS管Mc3的源极均接地; 所述MOS管Mc2的源极连接MOS管Mc3的漏极;所述MOS管Mc2的漏极连接MOS管Mc3的栅极,以及RC降噪组件的一端;所述RC降噪组件的另一端接地; 所述MOS管Mc4的栅极连接MOS管Mc5的栅极,且连接的节点与MOS管Mc4的漏极共同连接电流源IREF02的输出端; 所述MOS管Mc4、MOS管Mc5和MOS管Mc6的源极分别连接外部的VDD; 所述MOS管Mc6的栅极连接MOS管Mc5的栅极;所述MOS管Mc5的漏极分别连接N个开关管中MOS管Mc7的漏极,MOS管Mc6的漏极分别连接N个开关管中MOS管Mc8的漏极;同时,MOS管Mc5和MOS管Mc6的漏极分别作为反馈电路的输出负端和输出正端,连接三级RC积分器电路的反馈负端和反馈正端; N个所述开关管中MOS管Mc7和MOS管Mc8的栅极分别作为反馈电路的两个输入端,连接VCO量化器模块的输出端;N个所述开关管中MOS管Mc7和MOS管Mc8的源极连接,且分别连接N个级联电流源中MOS管Mc9的漏极; N个所述级联电流源中MOS管Mc9的栅极均连接MOS管Mc2的栅极;N个所述级联电流源中MOS管Mc10的栅极均连接MOS管Mc3的栅极;N个所述级联电流源中MOS管Mc10的源极均接地;同一所述级联电流源中MOS管Mc9的源极连接对应MOS管Mc10的漏极; 所述零阶反馈DAC单元包括MOS管Md1、MOS管Md2、电流源Iref1、电流源Iref2、电容Ca、电容Cb以及N个电流舵; N个所述电流舵均包括MOS管Md3、MOS管Md4、MOS管Md5、MOS管Md6、MOS管Md7和MOS管Md8; 所述MOS管Md1和MOS管Md3~MOS管Md5均为PMOS管;所述MOS管Md2和MOS管Md6~MOS管Md8均为NMOS管; 所述MOS管Md1的源极连接外部的VDD,MOS管Md1的栅极与MOS管Md1的源极连接,并连接电容Ca的一端、电流源Iref1的输出端;电容Ca的另一端接地; 所述MOS管Md2的漏极与MOS管Md2的栅极连接,并连接电容Cb的一端、电流源Iref2的输出端;所述MOS管Md2的源极和电容Cb的另一端接地; N个所述电流舵中:所述MOS管Md3的栅极连接MOS管Md1的栅极;MOS管Md3的源极连接外部的VDD;所述MOS管Md8的栅极连接MOS管Md2的栅极;所述MOS管Md8的源极接地;MOS管Md4的栅极连接对应MOS管Md6的栅极,并作为零阶反馈DAC单元的第一个输入端,连接VCO量化器模块的输出端;MOS管Md5的栅极连接MOS管Md7的栅极,并作为零阶反馈DAC单元的第二个输入端,连接VCO量化器模块的输出端;MOS管Md4的漏极连接MOS管Md6的漏极,并作为零阶反馈DAC单元的输出负端,连接第三级RC积分器电路的零阶反馈负端;MOS管Md5的漏极连接对应MOS管Md7的漏极,并作为零阶反馈DAC单元的输出正端,连接第三级RC积分器电路的零阶反馈正端; 同一个所述电流舵中:MOS管Md4和MOS管Md5的源极分别连接MOS管Md3的漏极;MOS管Md6和MOS管Md7的源极分别连接MOS管Md8的漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安邮电大学,其通讯地址为:710121 陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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