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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利高CMTI的低延时电平移位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121124803B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511667125.4，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权高CMTI的低延时电平移位电路是由杨媛;汤梓祥;杨笛;吕佳慧;王洋;杜兴锋;姚轲豪;张冀琛设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本高CMTI的低延时电平移位电路在说明书摘要公布了：本发明公开了高CMTI的低延时电平移位电路，包括VC转换电路，VC转换电路分别与CV转换电路、短时脉冲产生电路连接，CV转换电路分别与钳位电路、CLK产生电路、寄存器电路、高频瞬态电压消零电路连接，短时脉冲产生电路与高频瞬态电压消零电路连接，高频瞬态电压消零电路与CLK产生电路、寄存器电路连接，CLK产生电路、寄存器电路连接。高CMTI的低延时电平移位电路，本发明将高速电平移位技术与抗共模噪声技术相结合；其中，高速电平移位采用预存储技术，通过提前加载下一个输出状态，有效减小电平移位电路的信号传输延时；在此基础上，电路增加了共模噪声补偿技术，可对高频瞬态共模噪声进行采集，以此补偿共模噪声对电平移位输出信号的不良影响。

本发明授权高CMTI的低延时电平移位电路在权利要求书中公布了：1.高CMTI的低延时电平移位电路，其特征在于，包括VC转换电路1，所述VC转换电路1分别与CV转换电路2、短时脉冲产生电路7连接，所述CV转换电路2分别与钳位电路3、CLK产生电路4、寄存器电路5、高频瞬态电压消零电路6连接，所述短时脉冲产生电路7与高频瞬态电压消零电路6连接，所述高频瞬态电压消零电路6与CLK产生电路4、寄存器电路5连接，所述CLK产生电路4与寄存器电路5连接； 所述寄存器电路5包括SR触发器L1和SR触发器L2，所述SR触发器L1的输入CLK端与CLK产生电路4中反相器IE的输出端连接； 所述SR触发器L1的输入S端与CLK产生电路4中反相器IA的输出端与反相器IC的输入端、高频瞬态电压消零电路6中晶体管N5的漏极、与非门M3的一个输入端连接； 所述SR触发器L1的输入R端与CLK产生电路4中反相器IB的输出端与反相器ID的输入端、高频瞬态电压消零电路6中晶体管N4的漏极、与非门M3的另一个输入端连接； 所述SR触发器L1的输出Q端与SR触发器L2的输入S端连接，所述SR触发器L1的输出端与SR触发器L2的输入R端连接； 所述SR触发器L2的输入CLK端与CLK产生电路4中与非门M3的输出端连接；所述SR触发器L2的输出端为输出信号OUT； 所述高频瞬态电压消零电路6包括晶体管N3H、晶体管P3H、钳位二极管D1、与门M1、与门M2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管N5以及晶体管P3和晶体管P4，所述晶体管N3H的栅极与短时脉冲产生电路7的输出端连接，所述晶体管N3H的源极接地，所述晶体管N3H的漏极与晶体管P3H的漏极连接； 所述晶体管P3H的栅极与高压域的浮动地V SSH连接，所述晶体管P3H的源极与晶体管P3的漏极、晶体管P3的栅极、晶体管P4的栅极、钳位二极管D1的输出端连接； 所述钳位二极管D1的输入端与高压域的浮动地V SSH连接； 所述晶体管P3的源极与高压域的电源电压V DDH连接； 所述晶体管P4的源极与高压域的电源电压V DDH连接，所述晶体管P4的漏极与晶体管N3的栅极、晶体管N3的漏极、与门M1的一个输入端、与门M2的一个输入端连接，所述与门M2的另一个输入端与输出信号OUT连接； 所述晶体管N3的源极与高压域的浮动地V SSH连接； 所述与门M1的输出端与晶体管N5的栅极连接，所述晶体管N5的源极与高压域的浮动地V SSH连接； 所述与门M2的输出端与晶体管N4的栅极连接，所述晶体管N4的源极与高压域的浮动地V SSH连接。

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