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龙图腾网获悉南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心申请的专利一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666348.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片是由张腾;袁龙;刘涛;韩四林;张闯;李士颜;黄润华;柏松;杨勇设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片，包括：半导体基底、多晶硅栅极层和栅极金属层；栅极金属层包括：至少两个相互电气隔离的栅极金属区和一个栅极信号扩展区，每个栅极金属区对应至少一个高阻细条，栅极信号扩展区通过高阻细条分别与各栅极金属区连接；每个栅极金属区对应的高阻细条的阻值用于构成栅极金属区电阻，所有栅极金属区电阻用于构成功率MOSFET芯片的额外栅极电阻，实现栅极电阻可编程设计；各栅极金属区上设有独立的栅极焊盘区域。本发明通过内置高阻细条替代分立元件，从源头上消除PCB级寄生参数；创新性采用栅极金属分区绑定可编程结构，实现无源可逆的阻值动态调节。

本发明授权一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有可编程栅极电阻的功率MOSFET芯片，其特征在于，包括： 半导体基底，其上形成有若干MOSFET原胞； 多晶硅栅极层，覆盖所述MOSFET原胞区域； 栅极金属层，位于多晶硅栅极层上方并通过隔离介质层实现隔离；栅极金属层与多晶硅栅极层之间通过隔离介质孔电气连接；栅极金属层包括：至少两个相互电气隔离的栅极金属区和一个栅极信号扩展区； 每个栅极金属区对应至少一个高阻细条，高阻细条与栅极金属区同层，或与多晶硅栅极层同层，栅极信号扩展区通过高阻细条分别与各栅极金属区连通； 每个栅极金属区对应的高阻细条的阻值用于构成栅极金属区电阻，所有栅极金属区电阻用于构成功率MOSFET芯片的额外栅极电阻，实现栅极电阻可编程设计； 各栅极金属区上设有独立的栅极焊盘区域，作为PAD区域；栅极焊盘区域连接外部驱动电路，对应栅极金属区的内置栅极电阻被激活； 各栅极金属区的栅极金属区电阻满足： 各栅极金属区的栅极金属区电阻阻值相同；或各栅极金属区的栅极金属区电阻阻值不同，且任意两区电阻值之比≥ 1.5。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心，其通讯地址为：211111 江苏省南京市江宁区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室(江宁开发区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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