天府永兴实验室;成都理工大学张晓超获国家专利权
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龙图腾网获悉天府永兴实验室;成都理工大学申请的专利一种基于土壤渗透侵蚀全过程模拟微流控芯片及模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121142012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511696468.3，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种基于土壤渗透侵蚀全过程模拟微流控芯片及模拟方法是由张晓超;杨玺;杜杰;裴向军;邱茂;肖维阳;张任吉;吕晶日;王双设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于土壤渗透侵蚀全过程模拟微流控芯片及模拟方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于土壤渗透侵蚀全过程模拟微流控芯片及模拟方法，属于岩土与环境修复技术领域，目的在于解决现有技术无法真实模拟土壤动态侵蚀过程的技术问题。微流控芯片包括上基层、下基层、液体注入管、液体流出管以及开设于两端的流通孔，下基层顶面开设有液体流道、梯形槽，梯形槽的长边侧与液体流道平行且连通，液体注入管、液体流出管均通过流通孔分别与液体流道两端连通；上基层与下基层粘接固定。模拟前，在梯形槽内填充有土壤并定型；模拟时，向微流控芯片的液体注入管注入液体，液体流经液体流道的过程中，渗透、侵蚀一侧的梯形槽内的土壤，并通过高速显微成像模块实时观察并记录液体对土体颗粒的剥蚀、迁移、碰撞、团聚过程。
本发明授权一种基于土壤渗透侵蚀全过程模拟微流控芯片及模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种基于土壤渗透侵蚀全过程模拟微流控芯片，包括上基层1、下基层2、液体注入管6、液体流出管7，上基层1、下基层2的进出两端均开设置有流通孔3，其特征在于： 下基层2顶面开设有液体流道4、梯形槽5，梯形槽5的长边侧与液体流道4平行且连通；上基层1与下基层2贴合，液体注入管6、液体流出管7分别通过下基层2两端流通孔3与液体流道4两端连通，梯形槽5内填充有土壤并定型； 液体流道4的底面8与下基层2的下表面之间存在夹角ɑ；梯形槽5的底面8与下基层2的下表面之间存在夹角ɑ；液体流道4的底面8、梯形槽5的底面8沿液体流动方向高度逐渐降低，且夹角ɑ小于5°；或，液体流道4的底面8为曲面，且液体流道4的底面8的曲率半径沿液体流向逐渐增加；梯形槽5的底面8为曲面，且梯形槽5的底面8的曲率半径沿液体流向逐渐增加。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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