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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种基于铌酸锂薄膜的超低温传感器件以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121142120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511676839.1，技术领域涉及：G01R3/00；该发明授权一种基于铌酸锂薄膜的超低温传感器件以及制备方法是由耿文平;丑修建;乔骁骏;李森聂;钟波;李稼禾设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于铌酸锂薄膜的超低温传感器件以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MEMS传感器件领域，公开了一种基于铌酸锂薄膜的超低温传感器件以及制备方法，方法包括采用了离子注入辅助剥离制得铌酸锂键合片，减薄、抛光、清洗后设置极化区域，利用导电探针在极化区域内施加周期性的点阵式电压，形成点电畴阵列；在薄膜表面制备金属电极，得到超低温传感器件；超低温传感器件包括自下而上设置的铌酸锂单晶衬底、二氧化硅绝缘层、金属层、铌酸锂单晶薄膜层、金属薄膜。本申请有效解决了畴壁电流型温度传感器在极低温传感时所面临的矫顽场过高、电流过小以及电学接触不良，制成的器件在低温环境下具备极佳的灵敏度、响应速度、分辨率和抗干扰能力。

本发明授权一种基于铌酸锂薄膜的超低温传感器件以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铌酸锂薄膜的超低温传感器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、取一块铌酸锂单晶表面进行离子注入形成损伤层，之后溅射金属层，所述金属层包括依次叠层的Cr层Au层Cr层；在另一块铌酸锂单晶衬底上生长一层二氧化硅绝缘层； 将溅射后的铌酸锂单晶与生长绝缘层的铌酸锂单晶衬底直接键合，形成铌酸锂二氧化硅金属铌酸锂的铌酸锂键合片，退火后剥离损伤层于铌酸锂键合片上层得到铌酸锂单晶薄膜，通过减薄、抛光工艺处理，制得光学级铌酸锂单晶薄膜； S2、清洗光学级铌酸锂单晶薄膜的表面，旋涂光刻胶并通过光刻法刻蚀图形窗口； S3、打开AFM设备的DART SS PFM模式，利用PFM设备选定对应的极化区域，对准图形窗口； S4、切换至Litho模式，在所述极化区域内设置横纵排布为n1×n2个、间距一致的极化点位，其中n1、n2均为正整数；设置纳米针尖在每个极化点位的输出电压幅值和加压时间； S5、极化处理后，扫描极化区域的电畴相位图，确保点电畴全部翻转； S6、采用磁控溅射工艺，在完成极化处理的铌酸锂单晶薄膜表面溅射金属，形成溅射有金属薄膜的电极材料； S7、采用湿法剥离工艺剥离光刻胶，形成图形化的金属电极，制得基于铌酸锂薄膜的超低温传感器件。

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