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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利基于物联网的SGT-MOS器件加工控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121143256B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511678645.5，技术领域涉及：G05B19/418；该发明授权基于物联网的SGT-MOS器件加工控制方法及系统是由谢刚;龚妮娜设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于物联网的SGT-MOS器件加工控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了基于物联网的SGT‑MOS器件加工控制方法及系统，涉及半导体功率器件技术领域。方法包括：对SGT‑MOS器件进行结构缺陷特征识别，建立缺陷空间结构；基于缺陷空间结构进行物联网设备匹配映射，确定设备匹配关系，利用设备匹配关系对缺陷空间结构进行传感部署，采集缺陷传感数据；按照缺陷传感数据与常规传感数据进行融合解析，识别动态加工调控数据，生成加工调控指令。解决了现有SGT‑MOS器件加工过程中因结构缺陷难以及时感知和精准调控，导致的成品率低、性能一致性差的技术问题，达到了通过物联网多源数据融合实现缺陷驱动的动态工艺参数优化，提升器件加工良品率、电学性能一致性的技术效果。

本发明授权基于物联网的SGT-MOS器件加工控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.基于物联网的SGT‑MOS器件加工控制方法，其特征在于，包括： 对所述SGT‑MOS器件进行结构缺陷特征识别，建立缺陷空间结构； 基于所述缺陷空间结构进行物联网设备匹配映射，确定设备匹配关系，利用所述设备匹配关系对所述缺陷空间结构进行传感部署，采集缺陷传感数据； 按照所述缺陷传感数据与常规传感数据进行融合解析，识别动态加工调控数据，生成加工调控指令； 对所述SGT‑MOS器件进行结构缺陷特征识别，建立缺陷空间结构，包括： 识别所述SGT‑MOS器件的结构特征，采集结构特征对应的历史缺陷样本； 对所述结构特征对应的历史缺陷样本分别进行缺陷特征、缺陷概率识别分析，生成结构缺陷特征参数； 将所述结构缺陷特征参数进行SGT‑MOS器件空间结构投射，建立所述缺陷空间结构； 采集结构特征对应的历史缺陷样本，包括： 根据所述结构特征与历史缺陷尺寸区间进行匹配，获得匹配尺寸缺陷样本集、缺失尺寸缺陷样本集，其中，所述缺失尺寸缺陷样本集具有对应的邻域匹配尺寸缺陷样本集； 根据所述缺失尺寸缺陷样本集对应的缺失尺寸及结构特征加工响应系数，基于邻域匹配尺寸缺陷样本集进行样本运算补充，获得补充缺陷样本集； 将所述匹配尺寸缺陷样本集与补充缺陷样本集进行结构特征映射，获得所述历史缺陷样本。

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